[發明專利]一種鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法有效
| 申請號： | 201510272038.9 | 申請日： | 2015-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN104947192B | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發明（設計）人： | 劉正太;沈大偉;李明穎;楊海峰;姚岐;劉吉山;樊聰聰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C30B29/24 | 分類號： | C30B29/24;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈣鈦礦型 sriro sub 薄膜 材料 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：提供一鈣鈦礦型襯底；
S2：對所述襯底進行清洗處理；
S3：對所述襯底進行退火處理；
S4：在氧化物分子束外延系統中采用Ir單質靶蒸發源、Sr單質靶蒸發源及氧源，在所述襯底表面外延生長鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料，所述襯底溫度為500～600℃；外延生長鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料時，Sr與Ir的單質束流比大于1。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述鈣鈦礦型襯底為LSAT、GdScO3或SrTiO3。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：于所述步驟S2中，采用丙酮去除所述襯底表面吸附的有機物雜質。
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述步驟S2包括如下過程：將所述襯底依次放入丙酮、酒精、異丙醇中進行超聲清洗。
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：將所述襯底放入丙酮、酒精、異丙醇中進行超聲清洗的時間均為1～60分鐘。
6.根據權利要求4所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：在最后一步超聲清洗后，采用氮氣將所述襯底吹干。
7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述退火處理包括如下過程：
將所述襯底傳入真空腔，并加熱到第一溫度；
再往所述真空腔內通入氧氣，并繼續加熱到第二溫度；所述第二溫度高于第一溫度；
將所述襯底在所述第二溫度下保溫預設時間。
8.根據權利要求7所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述第一溫度為100～400℃，所述第二溫度為500～900℃，所述預設時間為5～100分鐘。
9.根據權利要求1所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：Sr與Ir的單質束流比為1.001～1.1。
10.根據權利要求1所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：于所述步驟S4中，所述氧源為臭氧。
11.根據權利要求10所述的鈣鈦礦型SrIrO3單晶薄膜材料的制備方法，其特征在于：外延生長過程中，所述臭氧的氣壓為1×10-7～1×10-5Torr。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所，未經中國科學院上海微系統與信息技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510272038.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
