[發(fā)明專利]一種磺酸基酞菁鎳?氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510271089.X | 申請日： | 2015-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN104891822B | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 賀春英;蔣恩晶;陳博文;王釗;趙呈;李宗樂 | 申請（專利權(quán)）人： | 黑龍江大學(xué) |
| 主分類號： | C03C17/22 | 分類號： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所23109 | 代理人： | 侯靜 |
| 地址： | 150080 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 磺酸基酞菁鎳 氧化 石墨 復(fù)合 薄膜 材料 制備 方法 | ||
1.一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于是按下列步驟實現(xiàn)：
一、將預(yù)處理后的石英基片置于質(zhì)量濃度為10％的PDDA溶液中浸泡8～10min，取出后用蒸餾水洗凈，N2吹干后再浸入到質(zhì)量濃度為10％的PSS溶液中8～10min，取出后用蒸餾水洗凈，用N2吹干，完成一次PDDA-PSS浸泡過程，重復(fù)PDDA-PSS浸泡過程三次，得到帶有負電荷的基片；
二、將步驟一得到的帶有負電荷的基片放入質(zhì)量濃度為10％的PDDA溶液中浸泡8～10min，取出后用蒸餾水洗凈，N2吹干后浸入到四-α-(4-磺酸苯氧基)酞菁鎳水溶液中8～10min，取出后用蒸餾水洗凈，N2吹干后再浸入到質(zhì)量濃度為10％的PDDA溶液中浸泡8～10min，取出后用蒸餾水洗凈，用N2吹干后最后浸入到氧化石墨烯水溶液中8～10min，取出后用蒸餾水洗凈，用N2吹干，完成單對層四-α-(4-磺酸苯氧基)酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜組裝；
三、重復(fù)多次步驟二的單對層四-α-(4-磺酸苯氧基)酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜組裝過程，得到磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟一所述的預(yù)處理后的石英基片是將石英基片先用丙酮擦拭干凈，然后浸入1mol/L的NaOH溶液中5min，取出后洗凈吹干，得到預(yù)處理后的石英基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟二所述的四-α-(4-磺酸苯氧基)酞菁鎳水溶液的濃度為0.8～1.5mg/ml。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟二所述的四-α-(4-磺酸苯氧基)酞菁鎳水溶液的濃度為1mg/ml。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟二所述的氧化石墨烯水溶液的濃度為0.08～0.15mg/ml。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟二所述的氧化石墨烯水溶液的濃度為0.1mg/ml。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磺酸基酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟三重復(fù)15～30次步驟二的單對層四-α-(4-磺酸苯氧基)酞菁鎳-氧化石墨烯復(fù)合薄膜組裝過程。
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