[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510260892.3 | 申請(qǐng)日： | 2015-05-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104900691B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 簡(jiǎn)郁芩;詹景琳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/739 | 分類號(hào)： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 及其 制作方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件，包括：
一基材，具有一第一電性，其中該第一電性為P型；以及
一高壓阱區(qū)，具有一第二電性并形成于該基材之中，其中該第二電性為N型；
一漂移區(qū)，形成于該高壓阱區(qū)中；該漂移區(qū)包括：
一P型頂部區(qū)；以及
一N型漸層擴(kuò)散區(qū)，形成于該P(yáng)型頂部區(qū)上方；
一漏極區(qū)，形成于該高壓阱區(qū)中且與該漂移區(qū)隔離；
一源極區(qū)，形成于該高壓阱區(qū)中且與該漂移區(qū)隔離；以及
一埋藏區(qū)，具有該第一電性且形成在該高壓阱區(qū)中，位于該漂移區(qū)和該漏極區(qū)之間，且該埋藏區(qū)的頂部未完全被該N型漸層擴(kuò)散區(qū)覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體元件為一橫向擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體元件，且該漏極區(qū)具有該第二電性。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體元件為一絕緣柵雙極型晶體管，且該漏極區(qū)具有該第一電性。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體元件為一二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括一絕緣層，形成于該漂移區(qū)之上；
其中該埋藏區(qū)與該絕緣層的一邊緣部分重疊；且
該埋藏區(qū)與該漂移區(qū)重疊或未重疊。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括：
一源極阱區(qū)，具有該第一電性，形成于該高壓阱區(qū)之中，位于該漂移區(qū)的一第一側(cè)邊，該第一側(cè)邊位于形成該漏極區(qū)的一第二側(cè)邊的相反一側(cè)；以及
該源極區(qū)形成于該源極阱區(qū)之中。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，還包括：
一柵氧化層，形成于該基材之上，位于該源極區(qū)和該漏極區(qū)之間；以及
一柵極層，位于該柵氧化層之上。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括：
一層間介電層，形成于該基材之上；以及
一接觸層，形成于該層間介電層之上。
9.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包括：
提供具有一第一電性的一基材，其中該第一電性為P型；以及
在該基材的中形成具有一第二電性的一高壓阱區(qū)，其中該第二電性為N型；
在該高壓阱區(qū)中形成一漂移區(qū)；該漂移區(qū)包括一P型頂部區(qū)及一形成于該P(yáng)型頂部區(qū)上方的N型漸層擴(kuò)散區(qū)；
在該高壓阱區(qū)中形成一漏極區(qū)，使該漏極區(qū)與該漂移區(qū)隔離；
在該高壓阱區(qū)之中形成一源極區(qū)，該源極區(qū)與該漂移區(qū)隔離；以及
該高壓阱區(qū)中形成具有該第一電性的一埋藏區(qū)，使該埋藏區(qū)位于該漂移區(qū)和該漏極區(qū)之間，且該埋藏區(qū)的頂部未完全被該N型漸層擴(kuò)散區(qū)覆蓋。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該半導(dǎo)體元件為一橫向擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體元件，且形成該漏極區(qū)的步驟，包括形成具有該第二電性的該漏極區(qū)。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該半導(dǎo)體元件為一絕緣柵雙極型晶體管，且形成該漏極區(qū)的步驟，包括形成具有該第一電性的該漏極區(qū)。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中形成該漏極區(qū)的步驟包括：
在該高壓阱區(qū)中形成具有該第一電性的一P型頂部區(qū)；以及
在該P(yáng)型頂部區(qū)的上方形成具有該第二電性的一漸層擴(kuò)散區(qū)。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中在該高壓阱區(qū)之中形成一源極區(qū)的步驟是通過(guò)以下步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)的：
在該高壓阱區(qū)之中形成具有該第一電性的一源極阱區(qū)，使該源極阱區(qū)位于該漂移區(qū)的一第一側(cè)邊，其中該第一側(cè)邊為位于形成該漏極區(qū)的一第二側(cè)邊的相反一側(cè)；以及
在該源極阱區(qū)之中形成一源極區(qū)。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
在該基材之上形成一柵氧化層，使該柵氧化層位于該源極區(qū)和該漏極區(qū)之間；以及
在該柵氧化層之上形成一柵極層。
15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
在該基材之上形成一層間介電層；以及
在該層間介電層之上形成一接觸層。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中形成該埋藏區(qū)的步驟，包括將具有該第一電性的一摻雜物摻入位于該高壓阱區(qū)中的一定義區(qū)中。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
