[發明專利]超結MOSFET器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201510257072.9 | 申請日： | 2015-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN106298866A | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 趙圣哲 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人： | 張洋,黃健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
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