[發(fā)明專利]一種形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510249101.7
• 申請(qǐng)日: 2015-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN104979292A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦偉;高慧慧;李程;楊渝書
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/28
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，所述不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)分別位于同一芯片的中間區(qū)域的第一柵極側(cè)壁和邊緣區(qū)域的第二柵極側(cè)壁，其特征在于，包括以下步驟：

步驟01：在所述中間區(qū)域和所述邊緣區(qū)域上同時(shí)沉積下氧化硅層-氮化硅層-上氧化硅層三層結(jié)構(gòu)；所述三層結(jié)構(gòu)覆蓋住所述第一柵極和所述第二柵極；

步驟02：采用干法刻蝕工藝，同時(shí)刻蝕并去除所述第一柵極和所述第二柵極的頂部和底部的所述上氧化硅層；

步驟03：采用一覆蓋材料將所述邊緣區(qū)域覆蓋住；

步驟04：采用濕法刻蝕工藝選擇性刻蝕掉位于所述第一柵極側(cè)壁的所述上氧化硅層；

步驟05：去除所述覆蓋材料；

步驟06：采用干法刻蝕工藝，同時(shí)刻蝕位于所述第一柵極和所述第二柵極頂部和底部的所述氮化硅層和所述下氧化硅層、以及高于所述第二柵極頂部的所述上氧化硅層，以暴露出所述第一柵極和所述第二柵極的頂部表面及其底部的所述中間區(qū)域和所述邊緣區(qū)域的表面，從而在所述第一柵極和所述第二柵極側(cè)壁分別形成ON側(cè)墻結(jié)構(gòu)和ONO側(cè)墻結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述下氧化硅層的厚度小于所述氮化硅層的厚度，所述氮化硅層的厚度小于所述上氧化硅層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟02中，所述干法刻蝕工藝為等離子體各向異性刻蝕工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟03中，所述覆蓋材料為光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟04中，所述濕法刻蝕工藝中所采用的藥液對(duì)所述上氧化硅層的刻蝕速率大于對(duì)所述氮化硅層和所述覆蓋材料的刻蝕速率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟04中，所采用的藥液為NH₄F和HF的混合液，其中，NH₄F:HF＝40:1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟05中，所述覆蓋材料采用濕法工藝去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟06中，所述干法刻蝕工藝為等離子體各向異性刻蝕工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述中間區(qū)域和所述邊緣區(qū)域的材料為硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述三層結(jié)構(gòu)的沉積采用化學(xué)氣相沉積法。