[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201510242230.3
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN105633159B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 鐘匯才
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

在襯底上形成的鰭，其中，在鰭的至少一側，鰭的底部相對于上部突出，且鰭的底部相對于上部突出的部分具有實質上矩形的截面；以及

與鰭相交的柵極，柵極包括柵介質層和柵導體層；

其中，柵介質層直接與鰭的底部和上部的側壁接觸；所述鰭的底部與柵極相配合，形成平面型器件部分，同時鰭的上部與柵極相配合，形成鰭式器件部分，該平面型器件部分與鰭式器件部分彼此連接，整體形成鰭式器件和平面型器件的組合。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，襯底包括SOI襯底，鰭由SOI襯底的SOI層形成。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在鰭的相對兩側，鰭的底部均相對于上部突出，從而鰭的截面呈大致“凸”狀。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，在鰭的相對兩側，鰭的突出的底部相對于鰭的中心實質上對稱。

5.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上形成鰭，使得在鰭的至少一側，鰭的底部相對于上部突出，且鰭的底部相對于上部突出的部分具有實質上矩形的截面；以及

形成與鰭相交的柵極，柵極包括柵介質層和柵導體層；

其中，柵介質層直接與鰭的底部和上部的側壁接觸；所述鰭的底部與柵極相配合，形成平面型器件部分，同時鰭的上部與柵極相配合，形成鰭式器件部分，該平面型器件部分與鰭式器件部分彼此連接，整體形成鰭式器件和平面型器件的組合。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，形成鰭包括：

在襯底上的鰭形成材料層上形成掩模層 ，其中該掩模層被構圖為沿一方向延伸的線狀；

利用第一掩模層為掩模，對鰭形成材料層進行構圖至第一深度，以獲得鰭主體部；

在鰭主體部的至少一側的側壁上形成側墻；以及

利用掩模層和側墻為掩模，對鰭形成材料層進行進一步構圖至比第一深度大的第二深度。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，襯底包括SOI襯底，SOI襯底包括支撐襯底、埋入絕緣層和SOI層，且鰭材料形成層為SOI層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，第一深度沒有到達埋入絕緣層，而第二深度到達埋入絕緣層。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，形成柵極包括：

選擇性去除掩模層和側墻；以及

在襯底上形成柵介質層和柵導體層，所述柵介質層和柵導體層被構圖為與鰭相交。