[發明專利]一種陶瓷基電路板及其制備方法

在審

• 申請號: 201510235215.6
• 申請日: 2015-05-11
• 公開（公告）號: CN104822223A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 惠宇;任慶國;楊俊蓮;馮旭;潘銳;許冰;劉徐;王松子
• 申請（專利權）人: 惠宇
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陶瓷基電路板，包括有一個陶瓷基板，其特征在于陶瓷基板上具有激光燒結成的純金屬電路圖形導電層，厚度為5~100μm。

2.根據權利要求1所述的一種陶瓷基電路板，其特征在于所述的純金屬是銅、鉬、銀、鋁或鈦。

3.一種如權利要求1所述的陶瓷基電路板的制備方法，其特征在于按照以下步驟進行：

（1）在計算機中使用圖形編輯軟件編輯好電路圖形；

（2）將陶瓷基板置于激光切割工作臺上，啟動金屬粉末噴吹裝置，向陶瓷基板上噴吹金屬粉末，啟動激光燒結裝置，按照編輯好的電路圖形對金屬粉進行掃描燒結，同時采用真空低壓收集裝置對多余的未燒結金屬粉末進行收集，掃描燒結完畢，得到陶瓷基板上的金屬電路圖形層；

（3）對掃描燒結完畢的陶瓷基板進行拋光，絲印文字，最終固化，得到陶瓷基電路板產品。

4.根據權利要求3所述的一種陶瓷基電路板的制備方法，其特征在于所述的的陶瓷基板是氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板，其中氧化鋁陶瓷基板中氧化鋁的重量含量為90~99%，氮化鋁陶瓷基板中氮化鋁的重量含量為90~99%。

5.根據權利要求3所述的一種陶瓷基電路板的制備方法，其特征在于所述的金屬粉末是銅粉、鉬粉、銀粉、鋁粉或鈦粉，粉末粒度在0.3~10μm之間。

6.根據權利要求3所述的一種陶瓷基電路板的制備方法，其特征在于所述的金屬粉末噴吹裝置噴氣速度在1-5L/min。

7.根據權利要求3所述的一種陶瓷基電路板的制備方法，其特征在于所述的激光燒結裝置采用CO₂激光，波長為10.6μm。