[發明專利]石斛的間歇浸沒式培養方法和培養裝置有效
| 申請號: | 201510225344.7 | 申請日: | 2015-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN104823824B | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 王貴榮 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | A01G31/00 | 分類號: | A01G31/00;A01G31/02 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產權代理有限公司31225 | 代理人: | 楊元焱 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石斛 間歇 浸沒 培養 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及生物工程技術,特別涉及一種石斛的間歇浸沒式培養方法和培養裝置。
技術背景
石斛是我國的一味珍貴的滋補類中草藥,具有補氣健胃,滋補腎陰,增強人體免疫力的作用,《神農本草經》中列為上品。由于用量巨大,目前面臨著兩個危機:一是野生植物資源蘊藏量和產量普遍存在著下降趨勢;二是石斛需求量不斷增加,造成了對該藥用植物資源的超量采挖。傳統的石斛栽培技術主要包括活樹接種培養和無土基質栽培。活樹接種培養產量太低;無土基質培養時所用基質以松樹皮為主,不僅破壞了寶貴的樹木資源,而且增加了種植成本。通過對現有技術的檢索發現,蔣娉等(2013)發明了一種“一種鐵皮石斛無糖組織培養方法”,肖玉蘭等(2012)發明了“一種無糖箱式植物組織的培養方法”,王錫麟等(2006)發明了一種“氣培式植物無糖組培裝置”,這些發明專利可以降低石斛無菌組培苗的污染率,但沒有解決石斛苗室外自然條件下生長時,所需基質的問題。另外,石斛對根部的通氣要求高,上述專利中植物長期浸泡在液體中,容易引起爛根;另外往箱底通入二氧化碳會增加種植成本。
發明內容
本發明的目的,就是為了克服上述現有技術存在的問題,提供一種石斛的間歇浸沒式培養方法和培養裝置。
為了實現本發明的目的,本發明采用了以下技術方案:一種石斛的間歇浸沒式培養方法,包括如下步驟:
一、用氯化汞溶液對石斛種子進行消毒,然后接種到種子萌發培養基中,光照下培養;
二、無菌苗生根后打開瓶蓋,練苗2-3天;
三、練苗結束后洗浄根部殘留的瓊脂,然后轉入間歇浸沒式培養裝置中;
四、在間歇浸沒式培養裝置下腔注入營養液,然后把石斛苗無菌扦插到裝置上腔并用不銹鋼網狀苗床固定;采用間歇浸沒式培養模式對石斛苗進行培養,讓營養液在虹吸管和液泵的共同作用下在裝置的上腔和下腔之間間歇循環轉移。
步驟一所述種子萌發培養基,為添加0.2-0.5mg/L赤霉素的MS固體培養基。
步驟四所述間歇浸沒式培養模式是,在室溫下,將間歇浸沒式培養裝置置于室外陰涼處,避免陽光直射,不需要無菌環境,營養液間歇循環轉移的周期控制在30-60分鐘,每15-20天更換一次新鮮營養液。
所述營養液的配方為大量元素減半的1/2MS無糖培養基,石斛生長所需糖份來自光合作用。
用于上述石斛的間歇浸沒式培養方法的培養裝置,包括培養箱,該培養箱由一塊隔板分隔成上腔和下腔,在上腔和下腔之間分別連接有連通管、虹吸管和液泵,在上腔還設有用于固定石斛苗的不銹鋼網狀苗床。
所述虹吸管的虹吸口接近上腔的腔底。
采用本發明的裝置和方法,將已生根的無菌石斛苗,轉移到一個間歇浸沒式培養裝置中,在自然條件下進行液體培養,培養液中不加糖,也不需通入二氧化碳,石斛生長所需的碳源來自于自身的光合作用,簡化了培養條件,降低了種植成本。
附圖說明
圖1為石斛的間歇浸沒式培養裝置的結構示意圖。
具體實施方法
本發明石斛的間歇浸沒式培養方法,包括如下步驟:
一、用氯化汞溶液對石斛種子進行消毒,然后接種到種子萌發培養基中,室內光照下培養;種子萌發培養基為添加0.5mg/L赤霉素的MS固體培養基。
二、無菌苗生根后打開瓶蓋,練苗2天;
三、練苗結束后洗浄根部殘留的瓊脂,然后轉入間歇浸沒式培養裝置中進行培養。
四、在室溫下,將間歇浸沒式培養裝置置于室外陰涼處,避免陽光直射。在間歇浸沒式培養裝置下腔注入營養液,營養液的配方為大量元素減半的1/2MS無糖培養基,然后把石斛苗無菌扦插到裝置上腔并用不銹鋼網狀苗床5固定;開啟液泵3,營養液在液泵的作用的下從容器的下腔轉移到上腔,當上腔液體的液面超過虹吸管4的最高點時(虹吸管4的最高點高于石斛苗的最高點,保證營養液能浸沒全體石斛苗),容器上腔的培養液在虹吸作用下迅速轉移到容器下面。如此,營養液在容器的上、下腔之間往復循環轉移,而石斛苗就會處于液體浸泡和裸露交替出現的條件下實現間歇浸沒式培養。營養液間歇循環轉移的周期控制在30-60分鐘,每15-20天更換一次新鮮營養液。
本實施例所用的培養裝置如圖1所示,包括培養箱1,該培養箱由一塊隔板分隔成上腔11和下腔12,在上腔和下腔之間分別連接有連通管2、虹吸管4和液泵3,在上腔還設有用于扦插石斛苗的不銹鋼網5。虹吸管的虹吸口接近上腔的腔底。
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