[發(fā)明專利]一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510094959.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104673383A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫啟文;楊正偉;張宗森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海兗礦能源科技研發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C10G67/02 | 分類號(hào): | C10G67/02 |
| 代理公司: | 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 合成 產(chǎn)品 生產(chǎn) 熔點(diǎn) 方法 | ||
1.一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,該方法采用以下步驟:
a、原料物流(1)首先進(jìn)入第一蒸餾單元(A),在一定溫度和壓力下蒸發(fā),將原料物流(1)分成蠟油餾分物流(2)和重餾分物流(3);
b、重餾分物流(3)進(jìn)入第二蒸餾單元(B),在一定溫度和壓力下發(fā)生蒸發(fā),將重餾分物流(3)分成中蠟物流(4)和高熔點(diǎn)蠟物流(5);
c、高熔點(diǎn)蠟物流(5)與氫氣物流(6)進(jìn)入加氫精制單元(C),加氫之后的高熔點(diǎn)蠟(7)分為第一物流(8)和加氫高熔點(diǎn)蠟物流(9)兩股;
d、加氫高熔點(diǎn)蠟物流(9)進(jìn)入第三蒸餾單元(D),在一定溫度和壓力下發(fā)生蒸發(fā),將加氫高熔點(diǎn)蠟物流(9)分成第一高熔點(diǎn)蠟物流(10)和第二高熔點(diǎn)蠟物流(11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,所述的原料物流(1)為費(fèi)托合成蠟,其碳數(shù)分布為C12~C120。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,所述的第一蒸餾單元(A)、第二蒸餾單元(B)及第三蒸餾單元(D)為高真空蒸發(fā)器,該高真空蒸發(fā)器的表面設(shè)有使原料在其表面均勻分散的刮膜器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,所述的高真空蒸發(fā)器為分子蒸餾塔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,
所述的第一蒸餾單元(A)的操作條件為:壓力1~50Pa,溫度120~200℃;
所述的第二蒸餾單元(B)的操作條件為:壓力1~30Pa,溫度200~260℃;
所述的第三蒸餾單元(C)的操作條件為:壓力1~20Pa,溫度為260~320℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,所述的加氫精制單元(C)中采用的催化劑以Al2O3和/或SiO2為載體,鑭、鈰、鈦、鋯、氟、硼或磷中的一種或幾種為助劑,Ni、W、Co或Mo中的一種或兩種為活性金屬的負(fù)載型加氫催化劑,其中,助劑占催化劑總重量百分比為0.1~10%,加氫活性金屬占催化劑總重量百分比為5~38%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,所述的加氫精制單元(C)的操作條件為:溫度260~350℃、壓力2~8MPa、空速1~4LHSV-1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,
所述的中蠟物流(4)經(jīng)過加氫后作為蠟產(chǎn)品,或通過加氫裂化轉(zhuǎn)化為汽油、煤油或柴油的液體燃料;
所述的第一物流(8)直接作為高熔點(diǎn)蠟產(chǎn)品,或進(jìn)一步氧化得到氧化蠟產(chǎn)品。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由費(fèi)托合成產(chǎn)品生產(chǎn)高熔點(diǎn)蠟的方法,其特征在于,
所述的中蠟物流(4)的熔點(diǎn)為50~70℃,所述的第一物流(8)的熔點(diǎn)為92~105℃,所述的第一高熔點(diǎn)蠟物流(10)的熔點(diǎn)為70~90℃,所述的第二高熔點(diǎn)蠟物流(11)的熔點(diǎn)≥105℃。
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