[發(fā)明專利]液晶裝置、液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510094464.8
• 申請(qǐng)日: 2011-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN104698642B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西田雅一;吉田升平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/133
• 分類號(hào): G02F1/133;G02F1/1343;G09G3/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所11247
• 代理人: 劉薇,陳海紅

1.一種液晶裝置，其特征在于，具備：

元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開關(guān)元件和像素電極；

與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；

在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；

在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；

在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；

由SiO₂構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜，其設(shè)置在上述像素電極和上述第1取向膜之間，膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高；以及

由SiO₂構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，其設(shè)置在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間，膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比上述液晶層高；

其中，對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；

在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)，對(duì)上述像素電極交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；

在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，上述第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)。

2.一種液晶裝置，其特征在于，具備：

元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開關(guān)元件和像素電極；

與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；

在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；

在上述元件基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；

在上述對(duì)置基板的上述液晶層的一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；

由SiO₂構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜，其設(shè)置在上述像素電極和上述第1取向膜之間，膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高；以及

由SiO₂構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，其設(shè)置在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間，膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜厚且電阻率比上述液晶層高；

其中，對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；

在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)，對(duì)上述像素電極交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；

在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，上述第1期間的長(zhǎng)度被設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度短。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，

上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶裝置，其特征在于，

上述像素電極由鋁構(gòu)成，上述對(duì)置電極由銦錫氧化物構(gòu)成。

5.一種液晶裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，

上述液晶裝置具備：元件基板，其具備多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線以及與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的開關(guān)元件和像素電極；與上述元件基板相對(duì)配置的具備對(duì)置電極的對(duì)置基板；在上述元件基板和上述對(duì)置基板之間夾持的液晶層；在上述元件基板的上述液晶層一側(cè)設(shè)置的第1取向膜；在上述對(duì)置基板的上述液晶層一側(cè)設(shè)置的第2取向膜；由SiO₂構(gòu)成的第1電介質(zhì)膜，其設(shè)置在上述像素電極和上述第1取向膜之間，膜厚度比上述液晶層薄且電阻率比上述液晶層高；以及由SiO₂構(gòu)成的第2電介質(zhì)膜，其設(shè)置在上述對(duì)置電極和上述第2取向膜之間，膜厚度比上述第1電介質(zhì)膜薄且電阻率比上述液晶層高；

上述驅(qū)動(dòng)方法對(duì)上述對(duì)置電極施加被設(shè)定為降低由于上述開關(guān)元件的寄生電容而引起的閃爍的對(duì)置電極電位；

在以上述對(duì)置電極電位為基準(zhǔn)將高位的電壓設(shè)為正極性、低位的電壓設(shè)為負(fù)極性時(shí)，對(duì)上述像素電極交替地施加上述正極性的電壓和上述負(fù)極性的電壓；

在由上述正極性的電壓被施加的第1期間和上述負(fù)極性的電壓被施加的第2期間構(gòu)成的規(guī)定期間中，將上述第1期間的長(zhǎng)度設(shè)定為比上述第2期間的長(zhǎng)度長(zhǎng)。