[發(fā)明專利]一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510094227.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104634767B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張保平;翁國(guó)恩;梅洋;張江勇;應(yīng)磊瑩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/63 | 分類號(hào): | G01N21/63 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所(普通合伙)35200 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 諧振腔 氣體 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)在藍(lán)寶石襯底GaN基外延片上制作圖形化分布布拉格反射鏡,然后在表面蒸發(fā)或?yàn)R射第一含金屬層;
2)在襯底表面蒸發(fā)或?yàn)R射第二含金屬層;
3)將第一含金屬層和第二含金屬層貼合,在真空或氮?dú)夥諊骆I合,再通過(guò)激光剝離技術(shù)去除藍(lán)寶石襯底;
4)對(duì)去除藍(lán)寶石襯底后的GaN基外延片進(jìn)行器件分離,形成二維陣列結(jié)構(gòu),接著蒸發(fā)或?yàn)R射金屬電極、分布布拉格反射鏡,最后沉積聚合物涂層,完成器件制作。
2.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟1)中,所述制作圖形化分布布拉格反射鏡采用光刻、剝離、腐蝕或刻蝕方法。
3.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟1)中,所述分布布拉格反射鏡由兩種不同折射率的介質(zhì)膜交錯(cuò)迭加而成,每層介質(zhì)膜的厚度為1/4中心波長(zhǎng),介質(zhì)膜組合采用TiO2/SiO2或Ta2O5/SiO2。
4.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟1)中,所述第一含金屬層的組成為Au、In、Sn、Cu、Pb鍵合金屬中的至少一種或至少兩種的合金。
5.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述襯底采用硅片。
6.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述第二含金屬層的組成為Au、In、Sn、Cu、Pb鍵合金屬中的至少一種或至少兩種的合金。
7.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述器件分離采用腐蝕或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕方法。
8.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述金屬電極采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。
9.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述金屬電極、分布布拉格反射鏡、聚合物涂層采用光刻、剝離、腐蝕或刻蝕方法。
10.如權(quán)利要求1所述一種氮化鎵基諧振腔氣體傳感器的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述聚合物涂層的選取取決于被探測(cè)氣體,該聚合物涂層在吸收被探測(cè)氣體后必須能夠引起厚度與折射率的變化,若探測(cè)丙酮,則選用聚苯乙烯。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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