[發明專利]一種用于MOS管電路直流分析的同倫方法

在審

• 申請號: 201510089163.6
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN104778304A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 牛丹;賀國睿;葉慶仕;王曉俊
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250
• 代理人: 王斌

1.一種用于MOS管電路直流分析的同倫方法，其特征在于：牛頓固定點同倫方法的構建中，使用電抗電阻這些線性元件，提出的增補函數如下：

f⁰(x)＝f(x)-f(x⁰)+A(x-x⁰),???(1)

式中x是未知量矩陣包括節點電壓和獨立電壓源電流，x⁰為初始解，A為n×n矩陣定義如下：

A=DgGFPDgT00-Rdd1M.---(2)]]>

式中D_g為簡化關聯矩陣，G_FP為正的半正定對角矩陣，R_dd為標量正值；組建的牛頓固定點同倫方程如下：

h(x,t)＝f(x)-(1-t)f(x⁰)+(1-t)A(x-x⁰)＝0.???(3)

式中f(x)＝0為待求解MOS管非線性電路的電路方程組，t為同倫參數。通過求解同倫方程h(x,t)＝0，其解曲線從(x⁰,0)開始，如果解曲線能夠到達t＝1超平面(在(x^*,1))，那么x^*就是原電路方程組f(x)＝0的一個解。

2.根據權利要求1所述的一種用于MOS管電路直流分析的同倫方法，其特征在于：使用MOS管的EKV模型，給出電路元件被動性、一致被動性定義；構建非線性電路的改進節點電壓方程和改進割集方程，可得出牛頓固定點同倫方法在增補電抗G_gs和G_gd足夠大時，可滿足初始點唯一性條件和邊界條件從而可以全局收斂。

3.根據權利要求1所述的一種用于MOS管電路直流分析的同倫方法，其特征在于：牛頓固定點同倫方法的實現中，構建牛頓固定點的初始同倫電路和同倫電路，以及BDF解曲線追蹤電路；使用SPICE平臺軟件固有的暫態分析指令對同倫電路和BDF解曲線追蹤電路進行暫態分析；當同倫參數t為1時，此時暫態分析的解就是電路直流分析的直流操作點。