[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制作工藝設(shè)備以及預(yù)防破片的方法有效

申請?zhí)枺?/td>	201510089085.X	申請日：	2015-02-27
公開（公告）號：	CN105990184B	公開（公告）日：	2018-09-11
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	周俊吉;陳志銘;謝其忠	申請（專利權(quán)）人：	力晶科技股份有限公司
主分類號：	H01L21/67	分類號：	H01L21/67;H01L21/683
代理公司：	北京市柳沈律師事務(wù)所 11105	代理人：	陳小雯
地址：	中國臺灣新竹***	國省代碼：	中國臺灣;71
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	半導(dǎo)體制作工藝設(shè)備以及預(yù)防破片方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

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