[發明專利]便攜式紫外線光療儀有效
| 申請號: | 201510086637.1 | 申請日: | 2015-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN104623814B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 吳昌琳 | 申請(專利權)人: | 上海希格瑪高技術有限公司 |
| 主分類號: | A61B18/18 | 分類號: | A61B18/18;A61N5/06 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產權代理有限公司31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 201702 上海市青浦區徐涇*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 便攜式 紫外線 光療 | ||
技術領域
本發明涉及一種紫外線光療儀,尤其涉及一種便攜式紫外線光療儀。
背景技術
紫外線光療法源于本世紀二十年代,七十年代起由于人工光源技術的不斷更新而得到迅猛發展,作為其代表的UVA、UVB及PUVA(又稱為光化學)療法,在歐、美等國的應用已經相當成熟。在歐洲,差不多每個城市的每個社區都設有專門的光療中心,成為銀屑病(牛皮癬)、白癜風等常見皮膚病的首選和常規治療方式。
紫外線光療儀包括以下幾種療法:
UVA療法:輻照光源采用UVA,其光譜范圍為320~400nm,峰值波長為365nm,主要用于治療特應性皮炎等皮膚疾病;
UVB療法:輻照光源采用UVB,其光譜范圍為280~320nm,峰值波長為310nm,主要用于治療銀屑病、白癜風等皮膚疾病;
PUVA療法:輻照光源采用UVA,但病人必須同時口服或者在病灶外涂抹光敏性藥物,藥物在UVA的激發下對皮膚產生光生物效應。
紫外線光療需要在一個周期內進行每天或隔天治療,對某些皮膚疾病有良好療效。使用紫外線光療儀進行紫外線光療具有較好有效性和較高安全性,目前已經出現了家用的紫外線光療儀,以供皮膚病患者在醫生的指導下在家中使用紫外線光療儀對皮膚患處自行治療。
這些小型的家用紫外線光療儀為皮膚病患者帶來了福音,它們以網電源作為驅動電源,對于固定生活的使用非常便利,但是隨著現代生活節奏的加快,人們在工作出差和休閑旅途的時間增加許多,因此需要一種能適應不在固定場所也能進行連續治療的小型的便攜的紫外線光療儀。
因此,本領域的技術人員致力于開發一種便攜式紫外線光療儀,其不以網電源而用可充電電源為驅動電源,在任何地方都可使用。
發明內容
有鑒于現有技術的上述缺陷,本發明所要解決的技術問題是提供一種便攜式紫外線光療儀,使用可充電電源,并對其輸出做穩壓處理,以穩定、可靠地驅動光源。
為實現上述目的,本發明提供了一種紫外線光療儀,包括光源和與所述光源相連的驅動電路,其特征在于,還包括可充電電源,
所述可充電電源輸出直流電至所述驅動電路;
所述驅動電路包括主控芯片、逆變單元和整流單元,所述主控芯片輸出PWM信號至所述逆變單元,所述逆變單元將所述直流電變換成交流電,所述整流單元對所述交流電整流后輸出到所述光源。
進一步地,所述主控芯片輸出一對互補的PWM信號,所述一對互補的PWM信號為信號PWMN和信號PWMP;所述逆變單元包括第一磁芯和第二磁芯,所述第一磁芯的主邊同名端和所述第二磁芯的主邊異名端與所述可充電電源相連,所述第一磁芯的主邊異名端通過第一NMOS管接地,所述第二磁芯的主邊同名端通過第二NMOS管接地,所述信號PWMP加載在所述第一NMOS管上,所述信號PWMN加載在所述第二NMOS管上,所述第二磁芯的副邊同名端接地,所述第一磁芯的同名端和所述第二磁芯的異名端相連,所述第一磁芯的同名端和異名端之間輸出所述交流電。
進一步地,所述整流單元為第一電容,所述第一電容連接在所述第一磁芯的所述同名端和所述異名端之間。
進一步地,所述驅動電路還包括第一DLC吸收回路和第二DLC吸收回路,所述第一DLC吸收回路連接在所述第一磁芯的主邊異名端與所述可充電電源之間,所述第二DLC吸收回路連接在所述第二磁芯的主邊同名端與所述可充電電源之間。
進一步地,所述直流電的電壓為2.8-4.2V,所述可充電電源的正極接到所述第一磁芯的主邊同名端、所述第二磁芯的主邊異名端、所述第一DLC吸收回路和所述第二DLC吸收回路,所述驅動電路還包括第一電壓轉換單元,所述可充電電源的正極連接到所述第一電壓轉換單元,所述第一電壓轉換單元的輸出端輸出5V的直流電。
進一步地,所述主控芯片的工作電壓為3.3V,所述驅動電路還包括第二電壓轉換單元,所述第一電壓轉換單元的輸出端與所述第二電壓轉換單元的輸人端相連,所述第二電壓轉換單元的輸出端輸出3.3V的直流電,所述第二電壓轉換單元的輸出端與所述主控芯片的電壓輸入端相連。
進一步地,所述驅動電路還包括第一PWN信號增強單元和第二PWN信號增強單元,分別接收所述信號PWMP和所述信號PWMN,分別輸出增強的信號PWMP和信號PWMN并將它們分別輸入所述第一NMOS管和所述第二NMOS管;
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