[發明專利]用于結構化由兩個半導體層組成的層結構的方法及微機械部件

有效

• 申請號: 201510079465.5
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN104843634B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: S·安布魯斯特;F·菲舍爾;J·巴德爾;R·施特勞布
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種用于結構化由兩個半導體層(12，14)與位于所述兩個半導體層之間的絕緣層和/或蝕刻停止層(16)組成的層結構(10)的方法，所述方法具有以下步驟：

在所述兩個半導體層(12，14)中的第一半導體層(12)的位于所述層結構(10)的第一外側(22a)處的并且遠離所述絕緣層和/或蝕刻停止層(16)定向的第一側(20)上構造第一蝕刻掩膜(18)；

實施從所述第一外側(22a)出發的用于結構化所述第一半導體層(12)的第一蝕刻步驟，其中，在所述第一半導體層(12)的第一側(20)的從所述第一蝕刻掩膜(18)暴露的至少一個部分面處蝕刻穿透所述第一半導體層(12)的至少一個第一溝槽(26)，使得所述至少一個第一溝槽(26)在第一蝕刻步驟之后具有至少一個溝槽底(26b)，所述溝槽底(26b)使所述絕緣層和/或蝕刻停止層(16)的至少一個部分面暴露；

在所述兩個半導體層(12，14)中的第二半導體層(14)的位于所述層結構(10)的第二外側(22b)處的并且遠離所述絕緣層和/或蝕刻停止層(16)定向的第二側(40)上構造第二蝕刻掩膜(38)；

實施從所述第二外側(22b)出發的用于結構化所述第二半導體層(14)的第二蝕刻步驟，其中，在所述第二半導體層(14)的第二側(40)的從所述第二蝕刻掩膜(38)暴露的至少一個部分面處蝕刻穿透所述第二半導體層(14)的至少一個第二溝槽(44)，

在實施所述第一蝕刻步驟之后并且在實施所述第二蝕刻步驟之前，在所述至少一個第一溝槽(26)的至少一個溝槽壁(26a)上沉積至少一種蝕刻保護材料(32)，其中，由于所述至少一種蝕刻保護材料(32)的耐蝕刻性，在所述第二蝕刻步驟期間所述至少一個第一溝槽(26)的至少一個溝槽壁(26a)保持被覆蓋，其特征在于，在實施所述第一蝕刻步驟之后并且在實施所述第二蝕刻步驟之前，在所述至少一個第一溝槽(26)的所述至少一個溝槽底(26b)上、在所述第一蝕刻掩膜(18)上和/或在所述第一半導體層(12)的第一側(20)上沉積所述至少一種蝕刻保護材料(32)，其中，在所述第二蝕刻步驟之前借助從所述第一外側(22a)實施的各向異性蝕刻步驟使所述至少一個第一溝槽(26)的至少一個溝槽底(26b)、所述第一蝕刻掩膜(18)和/或所述第一半導體層(12)的第一側(20)從所述至少一種蝕刻保護材料(32)暴露，并且，附加地去除所述絕緣層和/或蝕刻停止層(16)的在所述至少一個第一溝槽(26)的至少一個溝槽底(26b)處暴露的部分區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，實施基于CF₄的等離子體蝕刻步驟或者基于BCl₃的等離子體蝕刻步驟作為所述各向異性蝕刻步驟。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述第二蝕刻步驟之后，借助另一蝕刻步驟去除所述絕緣層的和/或蝕刻停止層(16)的在所述至少一個第二溝槽(44)處暴露的至少一個部分區域。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在實施所述第一蝕刻步驟之后并且在實施所述第二蝕刻步驟之前，在所述至少一個第一溝槽(26)的至少一個溝槽壁(26a)上沉積氧化鋁、二氧化硅和/或特氟龍作為所述至少一種蝕刻保護材料(32)。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在實施所述第一蝕刻步驟之后并且在實施所述第二蝕刻步驟之前，借助原子層沉積、借助化學氣相沉積和/或借助等離子體支持的化學氣相沉積在所述至少一個第一溝槽(26)的至少一個溝槽壁(26a)上沉積所述至少一種蝕刻保護材料(32)。

6.一種用于微機械部件的制造方法，其中，根據以上權利要求中任一項所述的方法從由兩個半導體層(12，14)與位于所述兩個半導體層之間的絕緣層和/或蝕刻停止層(16)組成的層結構(10)結構化出所述微機械部件的至少一個部分元件(50)。