[發明專利]引線鍵合的屏蔽結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201510073298.3
• 申請日: 2015-02-12
• 公開（公告）號: CN104659022B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 丁兆明;李榮哲;郭桂冠
• 申請（專利權）人: 蘇州日月新半導體有限公司;日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種引線鍵合的屏蔽結構的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)提供一線路基板，所述線路基板的第一表面上電性連接有至少兩個電子元件；并且所述第一表面下設置有至少一接地墊，所述接地墊位于所述至少兩個電子元件之間；提供引線鍵并通過接線端子將其與所述接地墊電性連接；

(2)對所述線路基板上的所述至少兩個電子元件填充封裝材料進行封膠；

(3)對相鄰的電子元件之間形成的封膠進行激光切割并且使得引線鍵裸露出來形成具有兩個側壁的溝槽，而溝槽的兩側形成至少兩個封裝層，所述溝槽的底部為線路基板的第一表面，并且所述接線端子設置在所述溝槽的底部并且電連接至接地墊；

(4)在所述溝槽的兩個側壁之間的空間內填充滿導電填料，并將露出的引線鍵包覆在所述導電填料內；

(5)在所述線路基板、封裝層和導電填料的外露表面上鍍覆連續的屏蔽涂層，所述屏蔽涂層通過所述引線鍵與接地墊電性連接；所述屏蔽涂層為磁控濺射制備的厚度為2～10μm的Cu-Co-Si金屬涂層，其中濺射靶材為Cu-Co-Si復合靶材，并且所述復合靶材中Co的質量百分含量為32～35wt％，Si的質量百分含量為3～6wt％，余量為Cu；鍍膜溫度為50～60℃；所述屏蔽涂層還通過基板側邊的對地端口與地線連接。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述接地墊位于所述溝槽的正下方。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述引線鍵的形狀為環形線、直線、柱狀或螺旋狀。

4.一種引線鍵合的屏蔽結構，包括線路基板，所述線路基板具有第一表面，所述第一表面下設置有至少一個接地墊；所述第一表面上設置有至少兩個電子元件和用于封裝所述電子元件的至少兩個封裝層，所述至少兩個電子元件均電性連接至所述線路基板；相鄰的封裝層之間存在溝槽；其特征在于：所述溝槽的底部為線路基板的第一表面，所述溝槽的底部設置有電連接至接地墊的接線端子，所述接線端子上連接有引線鍵；所述溝槽兩側的空間填充滿導電填料；而所述封裝層和導電填料的外露表面上鍍覆形成有連續的屏蔽涂層，并且所述屏蔽涂層通過所述引線鍵與接地墊電性連接；所述屏蔽涂層還通過基板側邊的對地端口與地線連接；所述屏蔽涂層為磁控濺射制備的厚度為2～10μm的Cu-Co-Si金屬涂層，其中濺射靶材為Cu-Co-Si復合靶材，并且所述復合靶材中Co的質量百分含量為32～35wt％，Si的質量百分含量為3～6wt％，余量為Cu；鍍膜溫度為50～60℃。

5.根據權利要求4所述的引線鍵合的屏蔽結構，其特征在于：所述電子元件包括受保護的元件或者敏感型的電子元件。

6.根據權利要求4所述的引線鍵合的屏蔽結構，其特征在于：所述引線鍵的材料為金、銀、銅、鋁或它們的合金。