[發明專利]一種C類反相器的恒定跨導偏置電路

有效

• 申請號: 201510073130.2
• 申請日: 2015-02-11
• 公開（公告）號: CN104699159A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 柯強;衛寶躍;劉昱;張海英
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

1.一種C類反相器的恒定跨導偏置電路，其特征在于，包括基于反相器的開關電容積分器和恒定跨導偏置電路，所述基于反相器的開關電容積分器中OTA和所述恒定跨導偏置電路通過調制信號V_dda連接；其中，

所述基于反相器的開關電容積分器包括第一NMOS晶體管MN11和第一PMOS晶體管MP11組成的反相器；

所述恒定跨導偏置電路包括：鏡像工作點感應器件、互補型恒定跨導偏置電流源、運算放大器和輸出負載晶體管。

2.根據權利要求1所述的C類反相器的恒定跨導偏置電路，其特征在于，所述鏡像工作點感應器件包括第二NMOS晶體管MN12和第二PMOS晶體管MP12連接組成的反相器，用于鏡像所述開關電容積分器中OTA的工作點，產生反饋信號V_fb；第二NMOS晶體管MN12的柵極和漏極和第二PMOS晶體管MP12的柵極和漏極相連，第二NMOS晶體管MN12的源極接地，第二PMOS晶體管MP12的源極連接調制信號V_dda。

3.根據權利要求2所述的C類反相器的恒定跨導偏置電路，其特征在于，第二NMOS晶體管MN12和第二PMOS晶體管MP12的尺寸基于反相器OTA的等比例縮小。

4.根據權利要求2所述的C類反相器的恒定跨導偏置電路，其特征在于，所述互補型恒定跨導電流源包括互補型恒定跨導偏置電流源I_blas和第三NMOS晶體管MN13；第三NMOS晶體管MN13的源極接地，互補型恒定跨導偏置電流源I_blas與第三NMOS晶體管MN13的柵極和漏極相連，產生參考信號V_ref，并且連接到運算放大器AMP10的負端，運算放大器AMP10的負端V_ref和正端V_fb比較的輸出端連接到第三PMOS晶體管MPload的柵極，第三PMOS晶體管MPload的源極連接到外部供電電壓V_dd，第三PMOS晶體管MPload的漏極連接到第二PMOS晶體管MP12的源極，并產生調制信號V_dda。

5.根據權利要求1所述的C類反相器的恒定跨導偏置電路，其特征在于，所述基于反相器的開關電容積分器還包括采樣電容C_S、積分電容C_I、補償電容C_C、兩相不交疊時鐘控制開關、輸入節點V_tm和輸出節點V_o。

6.根據權利要求1所述的C類反相器的恒定跨導偏置電路，其特征在于，所述的互補型恒定跨導電流源中，第八NMOS晶體管MN32的柵極和漏極之間連接第二參考電阻R32，第七NMOS晶體管MN31的柵極與第八NMOS晶體管MN32的漏極相連，第七PMOS晶體管MP31的柵極和漏極之間連接第一參考電阻R31，第八PMOS晶體管MP32的柵極與第七PMOS晶體管MP31的漏極相連；第九NMOS晶體管MN33的柵極和第七NMOS晶體管MN31的柵極相連，組成電流鏡結構；第十NMOS晶體管MN34的柵極和第八NMOS晶體管MN32的柵極相連，組成電流鏡結構；第九PMOS晶體管MP33的柵極和漏極相連且與第十PMOS晶體管MP34的柵極相連，組成電流鏡結構；第九PMOS晶體管MP33的柵極和漏極與第九NMOS晶體管MN33的漏極和第十NMOS晶體管MN34的漏極相連；采用所述互補型恒定跨導電流源提供偏置，產生參考電壓。