[發明專利]二維硫族晶體的印刷式定點生長方法

有效

• 申請號: 201510072662.4
• 申請日: 2015-02-11
• 公開（公告）號: CN104651777B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 彭海琳;鄭文山;謝天;周喻;劉忠范
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/06;C30B23/00;C30B29/46
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 關暢

1.一種制備二維硫族晶體的方法，包括如下步驟：

1）將彈性印章先浸泡于可揮發性溶劑中，再取出所述彈性印章壓印在基底表面，待所述可揮發性溶劑揮發后，將所述基底從所述彈性印章上剝離，得到圖案化修飾的基底；

2）在非氧化性氣氛中，按照氣路由下游至上游的順序，依次放置步驟1）所得圖案化修飾的基底和硫族材料，由室溫升溫后進行物理氣相沉積，沉積完畢后降溫，即在所述圖案化的修飾的基底上得到所述二維硫族晶體；

所述步驟2）物理氣相沉積步驟中，所述圖案化修飾的基底的溫度比所述硫族材料的溫度低50-250℃；

沉積的壓強為2.7千帕或6.7千帕；

所述硫族材料的沉積溫度為低于所述硫族材料的熔點100℃-200℃的溫度；

沉積的時間為2min、5min、60min、2h、10h。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，構成所述彈性印章的材料為聚二甲基硅氧烷；

構成所述基底的材料選自白云母、氟金云母、本征硅、二氧化硅-硅、藍寶石、石墨烯、氮化硼、鈦酸鍶和碳化硅中的至少一種；

所述基底的厚度為0.1毫米2毫米；

所述可揮發性溶劑選自乙醇、丙酮和水中的至少一種。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，所述硫族材料選自In₂Se、Bi₂Te₃、GaS和SnSe中的至少一種；

所述非氧化氣氛中的氣體為不活潑氣體或由還原性氣體和不活潑氣體組成的混合氣；

其中，所述不活潑氣體選自氮氣和氬氣中的至少一種；

所述還原性氣體具體為氫氣；

所述非氧化性氣氛中，氣體的流量為20至1000立方厘米每分鐘。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟2）降溫步驟中，降溫的方式為自然冷卻降溫。

5.權利要求1-4中任一所述方法制備得到的二維硫族晶體。

6.權利要求5所述二維硫族晶體在光電檢測中的應用。