[發(fā)明專利]過電流保護(hù)元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510052876.5
• 申請(qǐng)日: 2015-02-02
• 公開（公告）號(hào): CN105321639B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳國勛;曾于軒;沙益安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚鼎科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01C7/02
• 分類號(hào): H01C7/02;H01C7/13
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

1.一種過電流保護(hù)元件，其特征在于，包括：

二金屬箔片；以及

一PTC材料層，疊設(shè)于所述二金屬箔片之間，且其體積電阻值在0.07至0.45Ω· cm的范圍，其包含：

至少一結(jié)晶性高分子聚合物；

第一導(dǎo)電填料，其為碳黑粉末；

第二導(dǎo)電填料，選自至少一種的金屬粉末、導(dǎo)電陶瓷粉末或其組合，第二導(dǎo)電填料的粒徑大小介于0.1μm至50μm之間，且體積電阻值小于0.1Ω· cm；

其中所述第一導(dǎo)電填料和第二導(dǎo)電填料分散于所述結(jié)晶性高分子聚合物之中，且第二導(dǎo)電填料除以第一導(dǎo)電填料的重量比值大于等于1且小于4；

其中所述過電流保護(hù)元件的電阻再現(xiàn)性R300/Ri比值在1.5～5，Ri為起始電阻值，R300為觸發(fā)300次后的電阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述結(jié)晶性高分子聚合物占PTC材料層的重量百分比為10％～30％，第一導(dǎo)電填料占PTC材料層的重量百分比為15％～40％，第二導(dǎo)電填料占PTC材料層的重量百分比介于30％～70％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述過電流保護(hù)元件的電阻再現(xiàn)性R300/Ri比值在1.5～3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述過電流保護(hù)元件的電阻再現(xiàn)性R100/Ri比值在1～3，R100為觸發(fā)100次后的電阻值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述過電流保護(hù)元件可通過16V/50A的300次循環(huán)壽命測試而無燒毀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述結(jié)晶性高分子聚合物選自：聚烯烴類聚合物、烯烴類單體與壓克力類單體的共聚合物、烯烴類單體與乙烯醇類單體的共聚合物及其組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述結(jié)晶性高分子聚合物選自：高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚乙烯蠟、乙烯聚合物、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、乙烯-壓克力酸共聚合物、乙烯-壓克力脂共聚合物、乙烯-乙烯醇共聚合物及其組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述金屬粉末選自鎳、鈷、銅、鐵、錫、鉛、銀、金、鉑及其合金。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述導(dǎo)電陶瓷粉末選自：碳化鎢、碳化釩、碳化鈦、碳化硼、碳化硅、碳化鍺、碳化鉭、碳化鋯、碳化鉻、碳化鉬、硼化鈦、硼化釩、硼化鋯、硼化鈮、硼化鉬、硼化鉿、氮化鋯及其組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述第二導(dǎo)電填料包含碳化鈦，且可通過30V/50A的循環(huán)壽命測試而無燒毀。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中碳黑粉末的粒徑大小介于15nm至75nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述PTC材料層的厚度大于0.1mm。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電流保護(hù)元件，其中所述金屬箔片含瘤狀突出的粗糙表面，并與所述PTC材料層直接物理性接觸。