[發明專利]快閃存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 201510052252.3
• 申請日: 2015-01-31
• 公開（公告）號: CN104637884B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 張怡;劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/1157
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種快閃存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成耦合氧化層、浮柵多晶硅層以及ONO隔離層；

在所述ONO隔離層上形成控制多晶硅層；

在所述控制多晶硅層上方形成氮化硅層；

采用同一刻蝕工藝在所述氮化硅層中同時形成第一開口和第二開口，所述第一開口和第二開口露出下方的控制多晶硅層，所述第一開口用于形成存儲單元結構，所述第二開口對應于控制多晶硅層的電連接的接觸窗口的位置設置，所述第一開口的寬度為所述第二開口的寬度的1.5倍以上；

依次形成第一氧化硅層和刻蝕停止層，所述第一氧化硅層和刻蝕停止層覆蓋所述第一開口和第二開口的側壁和底部；

進行高溫沉積工藝，在所述刻蝕停止層上形成第二氧化硅層，并進行高溫回流工藝，利用所述第二氧化硅層的高溫流動性將所述第二開口填滿；

將第二開口以外的刻蝕停止層上方的第二氧化硅層去除；

進行刻蝕工藝，將所述刻蝕停止層和位于氮化硅層上方以及第一開口底部的第一氧化硅層去除，位于第一開口側壁的第一氧化硅層被保留，位于第二開口內的第二氧化硅層、刻蝕停止層和第一氧化硅層作為保護層被保留，該保護層用于保護第二開口相關的控制多晶硅層。

2.如權利要求1所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述第二開口的深度寬度比是第一開口的深度寬度比的1.5倍以上。

3.如權利要求2所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度范圍為3700-4700埃，所述第一開口的深度寬度比范圍為1.1-1.6，所述第二開口的深度寬度比不小于2。

4.如權利要求2所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一開口的寬度范圍為3000-3600埃，所述第一開口的深度寬度比范圍為1.2-1.4，所述第二開口的寬度范圍為1400-1700埃，所述第二開口的深度寬度比范圍為2.1-2.3。

5.如權利要求2所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一開口的寬度范圍為3100-3500埃，所述第二開口的寬度范圍為1400-1600埃。

6.如權利要求1所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質為氮化硅，所述刻蝕停止層的厚度范圍為50-150埃。

7.如權利要求1所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述第一氧化硅層的厚度范圍為1000-2000埃，所述第一氧化硅層利用低壓化學氣相沉積工藝制作。

8.如權利要求1所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述高溫回流工藝的溫度范圍為750-1000攝氏度。

9.如權利要求1所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述高溫沉積工藝的溫度范圍為750-1000攝氏度。

10.如權利要求1所述的快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述第二氧化硅層的材質為摻磷氧化硅或磷硅玻璃。