[發明專利]傳感器及其形成方法、檢測氣體的方法

有效

• 申請號: 201510033122.5
• 申請日: 2015-01-22
• 公開（公告）號: CN104614403B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 袁彩雷;駱興芳;易強;俞挺
• 申請（專利權）人: 江西師范大學
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00;G01N27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 應戰,駱蘇華

1.一種基于納米材料的傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，所述半導體襯底的第一表面具有第一介質層，第二表面具有第二介質層；

在所述第一介質層表面形成若干MoS₂納米結構，若干MoS₂納米結構呈線性排列；

在所述第一介質層表面形成若干傳輸線，所述傳輸線具有間隔，所述間隔適于容納所述MoS₂納米結構；

在所述半導體襯底的第二介質層表面形成接地層，所述接地層形成有互補開口諧振環，所述互補開口諧振環的位置與所述MoS₂納米結構的位置對應。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介質層表面形成若干MoS₂納米結構包括：提供石英管式爐，所述石英管式爐具有連通的第一溫區和第二溫區，三氧化鉬粉末、硫粉；將三氧化鉬粉末放置于石英管式爐內的第一溫區，形成第一介質層的半導體襯底設置于三氧化鉬粉末的上方，半導體襯底與三氧化鉬粉末的間距為1厘米至5厘米；將硫粉放置于石英管式爐的第二溫區，其中硫粉與三氧化鉬粉末的間距為17厘米至20厘米；其中，第一溫區的溫度設置為650攝氏度至800攝氏度，第二溫區的溫度設置為180攝氏度至300攝氏度，石英管式爐在制備過程中始終通入30sccm的氬氣，且氬氣沿第二溫區流向第一溫區；保持第一溫區650攝氏度至800攝氏度的時間為5分鐘后，讓石英管式爐自然冷卻到室溫，取出在所述第一介質層表面形成MoS₂納米線層的半導體襯底；在所述半導體襯底表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋部分MoS₂納米線且所述光刻膠圖形與待形成的線性排列的MoS₂納米線對應，采用刻蝕工藝去除未被覆蓋的MoS₂納米線，然后去除所述光刻膠圖形，形成若干間隔的MoS₂納米線且若干MoS₂納米線呈線性排列。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述傳輸線的形成工藝包括：采用光刻膠圖形覆蓋所述MoS₂納米結構，所述光刻膠圖形暴露出若干所述第一介質層表面，所述光刻膠圖形與待形成的傳輸線對應，采用物理氣相沉積工藝在所述第一介質層表面形成金屬薄膜；去除光刻膠圖形，形成具有間隔的傳輸線。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述互補開口諧振環的結構為兩個互相反向放置的同心開口諧振環，所述互補開口諧振環的形成工藝包括：在所述接地層表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形具有與互補開口諧振環對應的圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述接地層，直至暴露出第二介質層；去除所述光刻膠圖形，形成互補開口諧振環。