[發明專利]一種用于中低真空的磁控濺射靶陰極有效
| 申請號： | 201510031692.0 | 申請日： | 2015-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN104532202B | 公開（公告）日： | 2017-07-28 |
| 發明（設計）人： | 歐修龍;何峻;夏振軍;趙棟梁 | 申請（專利權）人： | 鋼鐵研究總院 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京中安信知識產權代理事務所(普通合伙)11248 | 代理人： | 張小娟 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 真空 磁控濺射 陰極 | ||
1.一種用于中低真空的磁控濺射靶陰極，濺射時工作氣壓為0.1～102Pa量級，其特征在于：
該磁控濺射靶陰極包括陰極體外殼(1)、靶材(2)、外磁體(3)、內磁體(4)、基座(5)和冷卻通道(6)；
其中，陰極體外殼(1)為中空的圓筒形，圓筒側壁鑲嵌有外磁體(3)，陰極體外殼(1)中心設置內磁體(4)，內磁體(4)與陰極體外殼(1)之間為冷卻通道(6)；陰極體外殼(1)上表面為靶材(2)，下表面為基座(5)；
所述外磁體(3)為多個環繞著冷卻通道(6)的圓柱形單體，每個單體表面中心位置磁場范圍在300～500mT；
所述內磁體(4)為圓柱形，內磁體(4)和外磁體(3)之間有1～10mm的高度差；內磁體(4)表面中心位置磁場范圍在400～600mT。
2.如權利要求1所述的用于中低真空的磁控濺射靶陰極，其特征在于：
陰極體外殼(1)的圓筒壁上、沿圓周方向設有多個均勻分布的孔，孔的直徑與外磁體(3)匹配。
3.如權利要求1所述的用于中低真空的磁控濺射靶陰極，其特征在于：
所述陰極體外殼(1)采用無氧銅或紫銅一體加工。
4.如權利要求1所述的用于中低真空的磁控濺射靶陰極，其特征在于：
所述靶材(2)為圓形靶材，厚度為0.5～5mm。
5.如權利要求1所述的用于中低真空的磁控濺射靶陰極，其特征在于：
所述外磁體(3)采用釹鐵硼或鋁鎳鈷燒結合金制成。
6.如權利要求1所述的用于中低真空的磁控濺射靶陰極，其特征在于：
所述內磁體(4)采用釹鐵硼或鋁鎳鈷燒結合金制成。
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