[發(fā)明專利]基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510031344.3
• 申請(qǐng)日: 2015-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104617166B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代盼;陸書龍;吳淵淵;譚明;季蓮;其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州蘇納光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0304
• 分類號(hào): H01L31/0304;H01L31/101;H01L31/18
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 王鋒

1.?一種基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于包括直接生長(zhǎng)在Si襯底的外延結(jié)構(gòu)層以及與所述外延結(jié)構(gòu)層連接的P型、N型電極，所述外延結(jié)構(gòu)層包括在Si襯底上依次生長(zhǎng)的過(guò)渡層、緩沖層、下?lián)诫s層、吸收層和上摻雜層。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述過(guò)渡層的材質(zhì)選自Ga_1-xIn_xP，?0?≤x≤1，并且沿逐漸遠(yuǎn)離Si襯底的方向，x的取值呈線性或臺(tái)階式增加。

3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述過(guò)渡層包括在Si襯底上依次生長(zhǎng)的第一過(guò)渡層和第二過(guò)渡層，所述第一過(guò)渡層的材質(zhì)為GaP，所述第二過(guò)渡層的材質(zhì)選自Ga_1-xIn_xP，其中在第二過(guò)渡層與第一過(guò)渡層、緩沖層的交界處x分別為0、1。

4.?根據(jù)權(quán)利要求2所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述第一過(guò)渡層厚度不大于1.5μm，所述第二過(guò)渡層的厚度不大于3μm。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述緩沖層的材質(zhì)包括InP。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述吸收層的材質(zhì)包括不摻雜的InGaAs?材料。

7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述下?lián)诫s層、上摻雜層的材質(zhì)包括摻雜類型分別為N^+?、P⁺的InP材料。

8.?根據(jù)權(quán)利要求1或7所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述下?lián)诫s層、吸收層及上摻雜層組合形成PIN光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)。

9.?根據(jù)權(quán)利要求1-4、6-7中任一項(xiàng)所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器，其特征在于所述紅外探測(cè)器表面還設(shè)有抗反膜或增透膜。

10.?權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述基于Si襯底的InGaAs紅外探測(cè)器的制備方法，其特征在于包括：在Si襯底上直接依次生長(zhǎng)過(guò)渡層、緩沖層、下?lián)诫s層、吸收層和上摻雜層，從而形成外延層；以及，對(duì)所述外延層進(jìn)行臺(tái)面刻蝕，并制備N型、P型電極，形成所述紅外探測(cè)器。