[發明專利]一種光電器件的電子阻擋層結構

有效

• 申請號: 201510030768.8
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN104659171B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 李淼;黃宏嘉
• 申請（專利權）人: 西安神光皓瑞光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/04
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 胡樂

1.一種光電器件的電子阻擋層結構，其特征在于：采用AlInGaN/InGaN超晶格結構生長，其中In組分≤10％,Al組分≤40％；在電子阻擋層中存在In和Al組分的漸變分布，In與Al組分的漸變規律相互獨立，其中In組分的漸變發生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者這兩處都存在漸變；In與Al組分的漸變規律具體是：

Al組分為凹形和凸形交替的脈沖形式，整體呈遞減趨勢；且In組分為凹形和凸形交替的脈沖形式，整體呈遞增趨勢；

或者

Al組分為線性遞減，且In組分為凹形和凸形交替的脈沖形式，所有脈沖單元相同。

2.根據權利要求1所述的光電器件的電子阻擋層結構，其特征在于：所述AlInGaN/InGaN超晶格結構的電子阻擋層，超晶格的對數為1-300對。

3.根據權利要求1或2所述的光電器件的電子阻擋層結構，其特征在于：在電子阻擋層中，還摻入Mg形成P型摻雜，在層內Mg組分為單一比例或者存在漸變分布。

4.根據權利要求3所述的光電器件的電子阻擋層結構，其特征在于：Mg漸變分布的具體形式為線性遞增或遞減、階梯形、凹形、凸形、拋物線形中的一種或者分階段任意多種組合。