[發明專利]透明導電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導電板

有效

• 申請號: 201510029485.1
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN105855711B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 陳耀宗;張裕洋;劉修銘;盧建榮
• 申請（專利權）人: 位元奈米科技股份有限公司
• 主分類號: B23K26/362
• 分類號: B23K26/362;B23K26/402;H01B13/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

技術領域

本發明有關一種激光蝕刻方法，且特別有關于一種透明導電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導電板。

背景技術

平面顯示器與太陽能為目前國內重點產業，而以銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)制成的透明導電層則常應用在觸控面板、平面顯示器、抗靜電膜、太陽能電池的透明電極、防反光涂布及熱反射鏡(heat reflecting mirror)上，目前ITO導電層大都鍍于塑料基板作為軟性觸控面板材料，其輕薄、耐沖擊及可撓曲等特性的優勢，可望在可撓式(軟式)顯示器與太陽能板等應用領域取代導電玻璃。

習用ITO導電層主要由氧化錫及氧化銦組合而成，其氧化錫及氧化銦比例為1∶9。目前產業界常用的電極圖案加工方法為微影蝕刻(lithography)，其制作方法復雜及耗時，亦容易造成ITO導電層表面化學污染。目前產業界開始采用雷射直接加工法(direct-write method)，以對ITO導電層直接進行激光蝕刻，該技術為干式制程，不僅降低設備成本，亦提高制程效率。再者，有別于上述無機金屬鍍層制作之ITO導電層，近年來開始采用有機透明導電層，上述有機透明導電層具良好的導電特性，例如：阻抗低、厚度可以低于100納米(nm)、及透光率可以高于85％。此外，有機透明導電層經激光燒蝕后的殘留物可以較少，且易于清理。

然而，不論是ITO導電層或是有機透明導電層，在激光蝕刻的過程中，部分的特定路徑圖案易產生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。于是，本發明人有感上述缺失之可改善，乃特潛心研究并配合學理之運用，終于提出一種設計合理且有效改善上述缺失的本發明。

發明內容

本發明實施例在于提供一種透明導電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導電板，能有效地改善現有特定路徑圖案易產生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。

本發明實施例提供一種透明導電板的激光蝕刻方法，包括：提供一透明導電板，其中該透明導電板具有一透明的絕緣基材及形成于該絕緣基材上的一透明導電層；于該透明導電層定義出一預設蝕刻路徑，其中該預設蝕刻路徑包含有一預設首尾相接路徑、一預設T字形路徑、及一預設直角路徑的至少其中之一；以及以一激光設備持續地發出數次激光光束至該透明導電板的透明導電層，并且將投射至該透明導電層上的這些次激光光束中心點依循部分該預設蝕刻路徑行進；其中，當在實施該預設首尾相接路徑的蝕刻時，將這些次激光光束中心點在該透明導電層上沿一前路徑與重疊銜接于該前路徑起始處的一后路徑行進，以蝕刻形成一首尾相接溝槽；當在實施該預設T字形路徑的蝕刻時，將這些次激光光束中心點在該透明導電層上依序沿一橫向路徑與一未相交于該橫向路徑的縱向路徑行進，以蝕刻形成一T字形溝槽；其中，該橫向路徑與該縱向路徑的最短距離，其小于投射至該透明導電層上的激光光束直徑并大于投射至該透明導電層上的激光光束半徑；及當在實施該預設直角路徑的蝕刻時，將這些次激光光束中心點在該透明導電層上依序沿一第一路徑、一曲線路徑、及大致垂直于該第一路徑的一第二路徑行進，以蝕刻形成一類直角溝槽。

本發明實施例另提供一種以上述透明導電板的激光蝕刻方法所制成的透明導電板。

綜上所述，本發明實施例所提供的透明導電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導電板，通過在實施預設首尾相接路徑、預設T字形路徑、或預設直角路徑的蝕刻時的具體路徑調整，藉以能有效地改善現有特定路徑圖案易產生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。

為使能更進一步了解本發明之特征及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅系用來說明本發明，而非對本發明的權利范圍作任何的限制。

附圖說明

圖1為本發明透明導電板的激光蝕刻方法的立體示意圖。

圖2A為圖1中X區域的蝕刻路徑示意圖。

圖2B為透明導電板依循圖2A的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。

圖3A為圖1中Y區域的蝕刻路徑示意圖。

圖3B為圖1中Y區域的另一蝕刻路徑示意圖。

圖3C為透明導電板依循圖3A或圖3B的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。

圖4A為圖1中Z區域的蝕刻路徑示意圖。

圖4B為透明導電板依循圖4A的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。

圖4C為圖1中Z區域的另一蝕刻路徑示意圖。

圖4D為透明導電板依循圖4C的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。

具體實施方式