[發明專利]一種高耐壓半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201510020385.2 | 申請日： | 2015-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105845727B | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發明（設計）人： | 陳宗高;陳軼群;王海強;袁秉榮;蒲賢勇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 耐壓 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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