[發(fā)明專利]熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510012171.0 | 申請日： | 2015-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN104567401A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹學(xué)武;彭程;佟立麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | F27B17/02 | 分類號： | F27B17/02 |
| 代理公司： | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 31201 | 代理人： | 王毓理;王錫麟 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熔融 中頻 感應(yīng) 高溫 加熱 裝置 | ||
1.一種熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征在于，包括：帶有加熱系統(tǒng)和水冷系統(tǒng)的真空室，該真空室設(shè)有測溫裝置、充、放氣裝置、以及真空發(fā)生裝置，其中：真空發(fā)生裝置、水冷系統(tǒng)、測溫裝置和加熱系統(tǒng)分別與控制臺相連，輸出溫度反饋信號、水量分配信號并分別接收功率控制信號和真空控制信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的加熱系統(tǒng)用于熔融物的熔化及保溫過程，包括：帶有電源的電極以及設(shè)置于真空室內(nèi)部的帶有線圈的保溫坩堝。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的保溫坩堝的壁厚為2～5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的坩堝采用圓柱形石墨坩堝，外徑為80mm，高度為300mm，有效裝料體積為859.732mL。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的保溫坩堝的保溫層為氧化鋁包裹的石墨氈。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的保溫層厚度為50～60mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的真空室為圓筒型雙層殼體結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的水冷系統(tǒng)位于真空室旁邊，包括：冷卻水箱、PID控制的水量分配器、管路以及設(shè)備中相對應(yīng)的管接頭。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的測溫裝置為對中式紅外溫度感應(yīng)裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融物中頻感應(yīng)高溫加熱裝置，其特征是，所述的真空室的頂部設(shè)有機(jī)械防爆裝置，其開啟值為0.2MPa。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海交通大學(xué);，未經(jīng)上海交通大學(xué);許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510012171.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
