[發明專利]一種具有雙凹陷緩沖層的4H?SiC金屬半導體場效應晶體管

有效

• 申請號: 201510001340.0
• 申請日: 2015-01-04
• 公開（公告）號: CN104681618B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 賈護軍;張航;邢鼎
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙)11368
• 代理人: 郭官厚

1.一種4H-SiC金屬半導體場效應晶體管制備方法，包括，以下幾個步驟：

1)對4H-SiC半絕緣襯底(1)進行清洗，以去除表面污物；

2)在4H-SiC半絕緣襯底(1)上外延生長0.5μm厚的SiC層，同時經乙硼烷B₂H₆原位摻雜，形成濃度為1.4×10¹⁵cm^-3的P型緩沖層(2)；

3)在P型緩沖層(2)上外延生長0.25μm厚的SiC層，同時經N₂原位摻雜，形成濃度為3×10¹⁷cm^-3的N型溝道層(3)；

4)在N型溝道層(3)上外延生長0.2μm厚的SiC層，同時經N₂原位摻雜，形成濃度為1.0×10²⁰cm^-3的N⁺型帽層；

5)在N⁺型帽層上依次進行光刻和隔離注入，形成隔離區和有源區；

6)對有源區依次進行源漏光刻、磁控濺射、金屬剝離和高溫合金，形成0.5μm長的源電極(6)和漏電極(7)；

7)對源電極(6)和漏電極(7)之間的N⁺型帽層進行光刻、刻蝕，形成刻蝕深度和長度分別為0.25μm和2.2μm的凹溝道；

8)對P型緩沖層(2)進行一次光刻和離子注入，形成具有厚度為0.25μm，以源極帽層(4)和漏極帽層(5)里側為起點、長度分別為0.85μm和0.8μm的凹槽(9)的雙凹陷緩沖層；

9)在溝道上方且靠近源極帽層一側的凹溝道進行光刻、磁控濺射和金屬剝離，形成0.7μm長的柵電極(10)；

10)對所形成的4H-SiC金屬半導體場效應晶體管表面進行鈍化、反刻，形成電極壓焊點，完成器件的制作。