[發明專利]低噪聲傳感器及使用低噪聲傳感器的檢驗系統

有效

• 申請號: 201480069694.2
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN105829873B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 戴維·L·布朗;勇-霍·莊;約翰·費爾登
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G01N21/95
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 張世俊

相關申請案

本申請案主張標題為“用于為低噪聲傳感器計時的系統及方法以及使用低噪聲傳感器的檢驗系統及方法(System And Method For Clocking A Low-Noise Sensor And An Inspection System And Method Using A Low-Noise Sensor)”且在2013年12月19日申請的第61/918,108號美國臨時專利申請案的優先權。此申請案以引用方式并入本文中。

本申請案與以下申請案及專利案相關：在2012年2月1日申請的標題為“高密度數字化器(High-density digitizer)”的第13/364,308號美國專利申請案、2012年12月10日申請的標題為“使用脈沖照明高速獲取移動圖像的方法及設備(Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination)”的第61/735,427號美國臨時申請案、2012年12月10日申請的標題為“使用EBCCD檢測器的電子轟擊電荷耦合裝置及檢驗系統(Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors)”的第13/710,315號美國專利申請案、2013年3月10日申請的標題為“具有硼層的背側照明傳感器(Back-illuminated sensor with boron layer)”的第13/792,166號美國專利申請案、2013年7月22日申請的標題為“包含具有硼層的硅襯底的光電陰極(Photocathode including silicon substrate with boron layer)”的第13/947,975號美國專利申請案、2009年10月7日申請的標題為“具有用于高速檢驗的局部驅動及信號處理電路的TDI傳感器(TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection)”的第2010/0188655號美國公開專利申請案、2009年6月1日申請的標題為“用于適用于高通量檢驗系統的傳感器的抗反射涂層(Anti-reflective coating for sensors suitable for high throughput inspection systems)”的第2010/0301437號美國公開專利申請案、2007年5月25日申請的標題為“使用背側照明線性傳感器的檢驗系統(Inspection system using back side illuminated linear sensor)”的第2011/0073982號美國公開專利申請案、2009年10月27日發布的標題為“TDI傳感器的連續計時(Continuous clocking of TDI sensors)”的第7,609,309號美國專利案及2011年5月31日發布的標題為“用于TDI傳感器的連續計時的設備(Apparatus for continuous clocking of TDI sensors)”的第7,952,633號美國專利案。這些申請案及專利案以引用方式并入本文中。

技術領域

本申請案涉及適用于感測可見、UV、深UV(DUV)、真空UV(VUV)及極UV(EUV)波長的輻射的圖像傳感器及相關聯電子電路，且涉及用于操作此類圖像傳感器的方法。傳感器及電路尤其適合用于檢驗系統中，所述系統包含用于檢驗光掩模、掩膜原版(reticle)及半導體晶片的檢驗系統。

背景技術

集成電路產業需要具有越來越高的靈敏度的檢驗工具來檢測越來越小的缺陷及顆粒，所述缺陷及顆粒的大小可小于20nm。那些相同檢驗工具需要能夠檢測大缺陷，例如可具有在小于1μm到多個mm的范圍中的尺寸的刮痕及水痕，且能夠測量可具有幾nm或小于1nm的峰谷振幅的表面粗糙度或霧度。檢驗工具還必須能夠檢測在高反射率及低反射率圖案及薄膜上或其內的缺陷及顆粒。