[發明專利]包含氮化鎵層的基板及其制造方法有效
| 申請號： | 201480066807.3 | 申請日： | 2014-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN105814244B | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 東原周平;巖井真;今井克宏 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B33/12;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化鎵層 基板 等離子體發生裝置 等離子體刻蝕裝置 直流偏置電位 電感耦合式 表面損傷 氟系氣體 干法刻蝕 功能元件 標準化 引入 制造 | ||
【說明書】：
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