[發(fā)明專利]具有多個(gè)識(shí)別的相同模塊的集成電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480065540.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105794199B | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | L·夏里爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 曲克賽爾股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04N5/378 | 分類號(hào): | H04N5/378;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 法國(guó);FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 識(shí)別 相同 模塊 集成電路 | ||
本發(fā)明涉及一種集成電路(10),其包括多個(gè)以索引j為索引的N個(gè)相鄰的相同模塊,當(dāng)前模塊(Bj)與前一模塊(Bj?1)和后一模塊(Bj+1)連接,每個(gè)模塊包括識(shí)別電路(Ij),所述識(shí)別電路包括:N個(gè)有序的以i為索引的輸入(Ei(j)),其與具有相同索引的前一模塊(Bj?1)的N個(gè)輸出連接;以及N個(gè)有序的以i為索引的輸出(Si(j)),其與具有相同索引的后一模塊(Bj+1)的N個(gè)輸入連接;并且當(dāng)前模塊(Bj)的每個(gè)輸入i(Ei(j)),i≠N,通過以i為索引的布線(Li)連接至當(dāng)前模塊的輸出i+1(Si+1(j))。當(dāng)前模塊(Bj)的最后輸入N(EN(j))不與所述當(dāng)前模塊的輸出連接,以及當(dāng)前模塊(Bj)的第一輸出1(S1(j))不與所述當(dāng)前模塊的輸入連接,每個(gè)模塊(B)還包括:至少一個(gè)連接墊(Pad0)以及以i為索引的N個(gè)邏輯門(Pi),每個(gè)邏輯門(Pi)包括第一輸入(Pin1(i));第二輸入(Pin2(i))和輸出(Pout(i));以及以i為索引的N個(gè)總線,每個(gè)總線包括穿過全部的N個(gè)模塊的線,每個(gè)總線與單個(gè)邏輯門(Pi)的輸出(Pout(i))連接。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及如下的集成電路領(lǐng)域:該集成電路通過圖案重復(fù)多次并且提供重疊而產(chǎn)生,使得電線能夠?qū)⒁粋€(gè)圖案與其它圖案連接。將這些圖案稱為被縫合(stitched)。
本發(fā)明適用于任意類型的縫合電路,例如成像器、顯示器或檢測(cè)器、或者存儲(chǔ)器電路。
背景技術(shù)
集成電路通常利用光刻工藝從單晶硅、多晶硅或者非晶硅晶片中制造。該工藝?yán)昧搜谀?,旨在?duì)沉積在晶片上的光敏材料(光致抗蝕劑)的層曝光的光穿過該掩膜。接著該光刻步驟,然后刻蝕晶片以去除材料,在電路的表面上形成三維圖案。執(zhí)行曝光/刻蝕工藝多次,以產(chǎn)生組成各種電路層的圖案。
某些電路在尺寸上比光刻裝置(步進(jìn)光刻機(jī))的掩膜尺寸更大。具體地,在當(dāng)今光刻工藝中使用的掩膜或標(biāo)線的尺寸大約為幾厘米×幾厘米,而某些成像器電路具有大的面積,例如大于或等于100cm2。
當(dāng)電路包括相同的元件(典型地,矩陣陣列結(jié)構(gòu),例如,成像器、顯示器或傳感器、或者存儲(chǔ)器)時(shí),一種方案是將電路劃分成相同的模塊,這些模塊是單掩膜在一個(gè)或兩個(gè)方向上移位多次產(chǎn)生的。該工藝被稱作為“場(chǎng)縫合”或者僅為“縫合”。換言之,半導(dǎo)體晶片經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)掩膜的多次曝光形成了電路。每次曝光允許在圖像傳感器的矩陣陣列區(qū)域縫合的情況下產(chǎn)生電路中的多個(gè)元件,例如,幾十、幾百、或者甚至幾千個(gè)像素。各種模塊重疊,以保證模塊之間的電連接重疊。
圖1描述了一種示例性矩陣陣列“縫合電路”101,其包括模塊A、L’和C’,每個(gè)模塊對(duì)應(yīng)重復(fù)多次的圖案。在圖1中,出于清楚起見示出模塊是分開的,但是實(shí)際上,它們重疊以保證電連接。矩陣陣列電路101例如為顯示器(例如,LCD屏幕)、檢測(cè)器(例如,x射線檢測(cè)器)或者存儲(chǔ)器電路(例如,快閃CMOS存儲(chǔ)器電路)。
模塊A包括行、列和位于行與列交叉處的像素,它們形成實(shí)際的矩陣陣列。例如,模塊A可以包括10×10至100×100個(gè)像素,完整的矩陣陣列可能包括幾百個(gè)行和列。
模塊L’和C’包括用于對(duì)行和列尋址的電路,該電路通常稱作為“驅(qū)動(dòng)器”。
這些模塊位于矩陣陣列的外圍、兩個(gè)垂直側(cè)面上。例如,模塊L’包括行驅(qū)動(dòng)器,模塊C’包括列驅(qū)動(dòng)器。一個(gè)模塊L’或者C’可以包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器控制多個(gè)行或列。行驅(qū)動(dòng)器被配置成在矩陣陣列電路101的尋址期間處理多個(gè)行的電子命令信號(hào),根據(jù)矩陣陣列電路的類型,這些信號(hào)為注入至行的信號(hào),或者源自行的信號(hào),并且被收集以被處理,對(duì)于列驅(qū)動(dòng)器也是如此。模塊D物理上為矩形拐角,而沒有特定的功能。
因而,圖1中的矩陣陣列電路包括:3×3個(gè)模塊A、3個(gè)模塊L’(例如,對(duì)行尋址)以及3個(gè)模塊C’(例如,對(duì)列尋址)。
模塊A、L’和C’本質(zhì)上彼此是相同的,因?yàn)樗麄儚南嗤瑘D案中產(chǎn)生,并且因此彼此不能夠區(qū)分。對(duì)于某些應(yīng)用,可能有利的是彼此識(shí)別各種模塊。
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