[發(fā)明專利]頻率依賴的發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480065216.4
• 申請(qǐng)日: 2014-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN105794009B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴維·卡羅爾;羅伯特·薩默斯;陳永華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韋克森林大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/00
• 分類號(hào): H01L51/00;H01L51/50
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 張英;宮傳芝

1.一種電致發(fā)光裝置，包括：

第一電極和第二電極；

位于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；以及

位于所述第一電極和所述發(fā)光層之間或所述第二電極和所述發(fā)光層之間的電流注入柵極，其中，所述電流注入柵極包括電子結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，所述電子結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層根據(jù)施加至所述第一電極和所述第二電極的交流電壓頻率限制來自所述第一電極或所述第二電極的通過所述半導(dǎo)體層的注入電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述第一電極、第二電極或兩者是輻射透射的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光層是包括單態(tài)發(fā)射極相的有機(jī)發(fā)光層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述單態(tài)發(fā)射極相包含一種或多種共軛聚合物或低聚物、小分子或它們的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述有機(jī)發(fā)光層進(jìn)一步包括三態(tài)發(fā)射極相。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述三態(tài)發(fā)射極相包含磷光過渡金屬復(fù)合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述三態(tài)發(fā)射極相分散于所述單態(tài)發(fā)射極相中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述有機(jī)發(fā)光層包括用于所述單態(tài)發(fā)射極相和所述三態(tài)發(fā)射極相的介電基質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述有機(jī)發(fā)光層進(jìn)一步包括納米顆粒相。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述納米顆粒相是無機(jī)納米顆粒。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述納米顆粒相是碳納米顆粒。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光層是無機(jī)發(fā)光層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述無機(jī)發(fā)光層由III/V半導(dǎo)體材料形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，通過所述柵極的所述半導(dǎo)體層的注入電流隨施加的所述交流電壓的頻率升高而降低。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是包含分散于共軛聚合物基體中的無機(jī)顆粒的復(fù)合層。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述半導(dǎo)體層由本征半導(dǎo)體形成。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述本征半導(dǎo)體是無機(jī)半導(dǎo)體。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述本征半導(dǎo)體是有機(jī)半導(dǎo)體。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其中，所述半導(dǎo)體層由具有至少2eV的帶隙的材料形成。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括在所述發(fā)光層的第一側(cè)面的電子摻雜劑層和在所述發(fā)光層的相對(duì)第二側(cè)面的空穴摻雜劑層。

21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，具有至少100lm W^-1的效率。