[發明專利]外延薄膜結構的激光剝離

在審

• 申請號: 201480064193.5
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN105765710A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: G·J·海耶斯;B·M·克萊門斯
• 申請（專利權）人: 小利蘭·斯坦福大學托管委員會
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L31/18;H01L33/00;H01L21/268
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種用于從基底去除器件層的方法，所述方法包括：

提供具有基底組分的基底；

在所述基底上布置犧牲層；

在所述犧牲層上布置一個或多個半導體器件層以創建多層堆疊物；

將所述半導體器件層進行圖案化以便部分或完全地限定釋放周界；

布置被粘附至所述半導體器件層上的固體構件；

向所述多層堆疊物提供一個或多個激光輻射脈沖，其中所述激光輻射脈沖在所述犧牲層中的吸收提供了所述半導體器件層從所述基底的燒蝕釋放，并且其中激光能量脈沖相對于所述基底和/或所述半導體器件層被所述犧牲層選擇性地吸收；

由此所述半導體層的被釋放部分與所述基底分離并且粘附至所述固體構件上。

2.如權利要求1所述的方法，其中，使用單一激光輻射脈沖來提供所述半導體器件層從所述基底的燒蝕釋放。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述基底包括砷化鎵，并且所述犧牲層包括具有小于1.43eV的帶隙并且具有大約565pm的晶格常數的InGaAsN。

4.如權利要求1所述的方法，其中，這些激光輻射脈沖具有大約100mJ/cm²與大約6J/cm²之間的能量密度。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述激光輻射脈沖具有大約0.1納秒與大約1微秒之間的持續時間。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層的厚度在大約1nm與大約1μm之間。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述半導體器件層包括具有所述基底組分的一層或多層。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述器件層包括與所述犧牲層相鄰布置的清潔層，并且所述方法進一步包括在所述半導體器件層從所述基底燒蝕釋放之后去除所述清潔層。

9.如權利要求1所述的方法，其中，所述基底包括被布置在所述犧牲層下方的清潔層，并且所述方法進一步包括在這些半導體器件層從所述基底燒蝕釋放之后去除所述清潔層。

10.如權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層被布置在所述基底的頂表面上，其中所述基底包括被布置在所述基底的與所述頂表面相反的底表面上的清潔層，并且所述方法進一步包括在所述半導體器件層從所述基底燒蝕釋放之后去除所述清潔層。

11.如權利要求1所述的方法，其中，將所述半導體器件層進行圖案化是經由激光燒蝕來執行的。

12.如權利要求1所述的方法，其中，將所述半導體器件層進行圖案化是經由濕蝕刻或干蝕刻來執行的。