[發明專利]用于相變存儲器（PCM）陣列的襯墊及相關聯的技術和配置

有效

• 申請號: 201480063544.0
• 申請日: 2014-12-09
• 公開（公告）號: CN105723510B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: N.羅克萊因;Q.陶;Z.宋;V.巴特
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫鵬;傅康

1.一種相變存儲器設備，包括：

襯底；

設置在襯底上的相變存儲器（PCM）元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個PCM元件包括硫族化合物材料；以及

設置在各個PCM元件的側壁表面上的襯墊，其中襯墊包括鋁（Al）、硅（Si）和氧（O），

襯墊包括硅鋁氧化物（Al_xSi_yO）；并且

x和y分別表示Al、Si和O的相對量。

2.權利要求1所述的相變存儲器設備，其中y/(x+y)等于從0.05到0.6的值。

3.權利要求1-2中任一項所述的相變存儲器設備，其中襯墊：

直接設置在硫族化合物材料上；

完整地覆蓋側壁表面；并且

具有大體均勻的厚度。

4.權利要求3所述的相變存儲器設備，其中襯墊覆蓋各個PCM元件的頂表面。

5.權利要求1-2中任一項所述的相變存儲器設備，還包括：

設置在襯底上的字線層，其中各個PCM元件設置在字線層上。

6.權利要求5所述的相變存儲器設備，其中襯墊設置在各個PCM元件之間的字線層上。

7.權利要求5所述的相變存儲器設備，其中每個單獨的PCM元件包括：

設置在字線層上的包含碳的第一層；

設置在第一層上的包含第一硫族化合物材料的第二層；

設置在第二層上的包含碳的第三層；

設置在第三層上的包含第二硫族化合物材料的第四層；以及

設置在第四層上的包含碳的第五層。

8.權利要求1-2中任一項所述的相變存儲器設備，還包括：

設置在襯墊上的包括的種子層。

9.權利要求8所述的相變存儲器設備，還包括：

設置在種子層上并且配置成填充各個PCM元件之間的區域的填充材料。

10.一種用于制造相變存儲器設備的方法，包括：

提供襯底；

在襯底上形成相變存儲器（PCM）元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個PCM元件包括硫族化合物材料；以及

在各個PCM元件的側壁表面上形成襯墊，其中襯墊包括鋁（Al）、硅（Si）和氧（O），

形成襯墊包括通過原子層沉積（ALD）或化學氣相沉積（CVD）來沉積硅鋁氧化物，襯墊包括硅鋁氧化物（Al_xSi_yO）；并且

x和y分別表示Al，Si和O的相對量。

11.權利要求10所述的方法，其中：

形成襯墊包括通過ALD沉積Al_xSi_yO。

12.權利要求11所述的方法，其中ALD過程是在低于250℃的溫度下執行的基于水的過程。

13.權利要求10-12中任一項所述的方法，其中：

形成襯墊包括直接在硫族化合物材料上沉積包括Al、Si和O的材料；以及

沉積材料以材料的大體均勻的厚度完整地覆蓋側壁表面。

14.權利要求13所述的方法，其中沉積材料覆蓋各個PCM元件的頂表面。

15.權利要求10-12中任一項所述的方法，其中形成PCM元件的陣列包括：

在設置在襯底上的字線層上沉積包含碳的第一層；

在第一層上沉積包含第一硫族化合物材料的第二層；

在第二層上沉積包含碳的第三層；

在第三層上沉積包含第二硫族化合物材料的第四層；以及

在第四層上沉積包含碳的第五層。