[發明專利]雙面帶有隔片的密封用片、以及半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201480063321.4 | 申請日： | 2014-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN105745750A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發明（設計）人： | 志賀豪士;石坂剛;盛田浩介;飯野智繪 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/29 | 分類號： | H01L23/29;C09J7/02;H01L21/60;H01L23/28;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙面 帶有 密封 以及 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種雙面帶有隔片的密封用片，其特征在于，具備：
密封用片、
層疊于所述密封用片的一個面的厚50μm以上的隔片A、和
層疊于所述密封用片的另一個面的隔片B。
2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：
工序A，準備在支撐體上固定有半導體芯片的層疊體；
工序B，準備權利要求1所述的雙面帶有隔片的密封用片；
工序C，將所述雙面帶有隔片的密封用片經由所述隔片A利用吸附夾頭抬起；
工序D，從所述雙面帶有隔片的密封用片剝離所述隔片B而得到單面帶有隔片的密封用片；
工序E，以使所述單面帶有隔片的密封用片的剝離了所述隔片B的一側的面與所述層疊體的所述半導體芯片的面相面對的方式，將所述單面帶有隔片的密封用片配置于所述層疊體的所述半導體芯片上；和
工序F，將所述半導體芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半導體芯片的密封體。
3.根據權利要求1所述的雙面帶有隔片的密封用片，其特征在于，
所述密封用片為2層以上，
所述隔片B的厚度小于40μm。
4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：
工序A，準備在支撐體上固定有半導體芯片的層疊體；
工序B，準備權利要求3所述的雙面帶有隔片的密封用片；
工序C，將所述雙面帶有隔片的密封用片經由所述隔片A利用吸附夾頭抬起；
工序D，從所述雙面帶有隔片的密封用片剝離所述隔片B而得到單面帶有隔片的密封用片；
工序E，以使所述單面帶有隔片的密封用片的剝離了所述隔片B的一側的面與所述層疊體的所述半導體芯片的面相面對的方式，將所述單面帶有隔片的密封用片配置于所述層疊體的所述半導體芯片上；和
工序F，將所述半導體芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半導體芯片的密封體。
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