[發明專利]高級硅烷的制造催化劑及高級硅烷的制造方法

有效

• 申請號: 201480057511.5
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105658330B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 松下達己;能地芳德;松浦陽
• 申請（專利權）人: 三井化學株式會社
• 主分類號: B01J29/18
• 分類號: B01J29/18;B01J29/40;B01J29/70;B01J37/30;C01B33/04
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 金鮮英,涂琪順

1.一種高級硅烷的制造方法，其特征在于，通過使低級硅烷與高級硅烷的制造催化劑接觸，來使該低級硅烷向硅數比該低級硅烷多的高級硅烷轉變，

所述高級硅烷的制造催化劑包含多孔質氧化物，通過與低級硅烷接觸來使該低級硅烷向硅數比該低級硅烷多的高級硅烷轉變，該多孔質氧化物至少具有規則地排列的細孔，主要由硅氧化物構成，并且堿金屬和堿土金屬的含量為0.00重量％以上2.00重量％以下。

2.根據權利要求1所述的高級硅烷的制造方法，在比不存在催化劑的條件下通過低級硅烷的熱分解而實質上開始生成高級硅烷的溫度低的溫度下，使低級硅烷與所述高級硅烷的制造催化劑接觸。

3.根據權利要求1所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，使低級硅烷與所述高級硅烷的制造催化劑接觸的溫度為100℃以上400℃以下。

4.根據權利要求3所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，所述溫度為120℃以上350℃以下。

5.根據權利要求3所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，所述溫度為140℃以上300℃以下。

6.根據權利要求1～5的任一項所述的高級硅烷的制造方法，所述低級硅烷通過包含低級硅烷的原料氣體而供給，原料氣體中的低級硅烷的濃度為50vol％以上100vol％以下。

7.根據權利要求1～5的任一項所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，低級硅烷為甲硅烷，高級硅烷為乙硅烷和丙硅烷。

8.根據權利要求1～5的任一項所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，低級硅烷為甲硅烷，高級硅烷為乙硅烷。

9.根據權利要求1～5的任一項所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，低級硅烷為乙硅烷，高級硅烷為丙硅烷。

10.根據權利要求1～5的任一項所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，包括將高級硅烷的制造催化劑用含有氫的氣體進行活化處理的工序。

11.根據權利要求10所述的高級硅烷的制造方法，其特征在于，將高級硅烷的制造催化劑用含有氫的氣體進行活化處理的工序的處理溫度為20℃以上。