[發明專利]光電組件的生產

在審

• 申請號: 201480056817.9
• 申請日: 2014-10-14
• 公開（公告）號: CN105612624A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發明（設計）人: M.平德爾;S.耶雷比克;T.格爾特爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

技術領域

本發明涉及一種用于生產光電組件的方法。

背景技術

本專利申請要求德國專利申請102013220790.5的優先權，其公開內容被通過 引用合并到此。

光電組件可以包括用于生成光輻射的光電半導體芯片以及用于輻射轉換的至少 一種磷。（多種）磷可以將半導體芯片的光輻射的部分轉換為一個或多個其它光輻射。以此 方式，可以生成混合輻射，其色彩軌跡取決于已轉換的輻射對于未轉換的輻射的比率。在一 種已知配置中，充當轉換主體并且包括所述至少一種磷的平坦層被布置在半導體芯片上。

在一種已知生產方法中，多個光電半導體芯片被布置在載體上。與半導體芯片分 離地生產的多個轉換層被布置在半導體芯片上。利用反射化合物灌封各半導體芯片之間的 以及其周圍的區塊。這種布置可以隨后被單獨化。

為了防止磷層的前側在應用反射灌封化合物期間被濕化，力求包括陡峭前側邊沿 的配置。考慮到表面張力，反射灌封化合物可能停止在這樣的前邊沿處。可以通過陶瓷開始 層的單獨化來生產包括這樣的性質的磷層。然而，生產陶瓷磷層與高支出關聯。

進一步的要求是低色彩軌跡散射。為此目的，磷層在生產之后經經受測量以便檢 測轉換性質，并且被分類。在布置在半導體芯片上之前，基于此而選擇磷層，以便能夠生產 其光輻射包括預先限定的色彩軌跡的組件。該過程同樣與高支出關聯。

發明內容

本發明的目的是指定一種用于改進的光電組件的生產的方案。

借助于如權利要求1中要求保護的方法來實現該目的。在從屬權利要求中指定本 發明的進一步有利的實施例。

根據本發明的一個方面，提出一種用于生產光電組件的方法。所述方法涉及：在載 體上布置多個光電半導體芯片。更進一步地提供：在所述光電半導體芯片的區塊中共同壓 縮分離的模制化合物。以此方式，分離的模制主體被形成在所述光電半導體芯片的區塊中。

在所述方法中，分配給單獨的半導體芯片的分離的模制主體被直接形成在所述半 導體芯片的位置處。這是通過在每個半導體芯片的區塊中提供對應的模制化合物并且聯合 地壓縮所述模制化合物來做到的。可以由以此方式形成的所述模制主體來包封可以被設計 用于生成光輻射的所述光電半導體芯片。

可以在低支出的情況下執行所述方法。考慮到壓縮所述模制化合物，出現在所述 半導體芯片的區塊中并且被布置在所述半導體芯片上的所述模制主體可以在前側的區塊 中包括陡峭邊沿。如果適當，則這證明關于隨后執行的灌封處理是適宜的。

通過壓縮所述模制化合物所形成的所述模制主體可以包括在前側的方向上至少 部分地打開或加寬的形狀。這樣的形狀促進反射器的生產。

具有所述光電半導體芯片和模制主體的載體可以構成光電組件或封裝。對于這樣 的布置而言還可能的是充當中間產品，并且用于要在后面執行的進一步的方法步驟。例如， 考慮單獨化處理。在此意義上，所述方法可以被用于聯合地生產通過所述單獨化而彼此分 離的多個光電組件。可以以這樣的方式來執行單獨化：由此所形成的光電組件包括載體的 部分、半導體芯片以及半導體芯片的區塊中的關聯的模制主體。對于通過單獨化形成的光 電組件而言還可能的是包括載體的部分以及多個光電半導體芯片和模制主體。

以下更詳細地描述所述方法的進一步的可能的實施例。

可以考慮例如其中模制化合物是磷化合物的情況。通過壓縮磷化合物所形成的模 制主體可以因此是磷主體。在所述方法的該實施例中，分配給單獨的半導體芯片的分離的 磷主體被直接形成在半導體芯片的位置處，而不是磷層被分離地生產并且布置在光電半導 體芯片上。在所述方法的該實施例中，這是借助于在每個半導體芯片的區塊中提供對應的 磷化合物并且聯合地壓縮磷化合物來執行的。可以由以此方式形成的磷主體來包封光電半 導體芯片。

在以此方式所生產的光電組件的操作期間，半導體芯片可以生成光輻射。利用關 聯的磷主體可以引起由半導體芯片生成的光輻射的輻射轉換。可以通過疊加已轉換的輻射 部分和未轉換的輻射部分來生成混合輻射，所述混合輻射可以經由磷主體被發射。為此目 的，磷化合物以及由此形成的磷主體包括用于輻射轉換的至少一個轉換材料。