[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法、半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法、半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板以及半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480055435.4
• 申請(qǐng)日: 2014-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105706255B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶田康仁;筱塚啟;大纮太郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王子控股株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/22
• 分類號(hào): H01L33/22
• 代理公司: 上海和躍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239
• 代理人: 芮玉珠

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，包含：

第一工序，使用第一單粒子膜作為掩模，對(duì)基板的上表面進(jìn)行蝕刻，所述第一單粒子膜是具有第一粒徑且被二維最密地填充的第一粒子的單層；以及

第二工序，使用第二單粒子膜作為掩模，對(duì)基板的所述上表面進(jìn)行蝕刻，所述第二單粒子膜是具有第二粒徑且被二維最密地填充的第二粒子的單層，所述第二粒徑與所述第一粒徑不同，

所述第一粒徑小于所述第二粒徑，

所述制造方法還包括：

在所述基板的所述上表面形成所述第一單粒子膜的工序；以及

在所述第一工序后，在所述基板的所述上表面形成所述第二單粒子膜的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，還包含：

在所述第一工序的蝕刻后實(shí)施所述第二工序的蝕刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述第一粒徑為100nm以上且1μm以下，

所述第二粒徑為300nm以上且5μm以下，

所述第一粒徑為所述第二粒徑的1/10以上且1/3以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

在所述第一工序和所述第二工序中的至少一個(gè)工序中，在該工序中作為掩模采用的單粒子膜消失之前，從所述基板的上表面去除該單粒子膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

通過(guò)所述第一工序和所述第二工序，在所述基板的上表面形成如下部分：

沿著所述基板的一個(gè)結(jié)晶面展開(kāi)的平坦部；

從所述平坦部突出的多個(gè)大徑突部；以及

小于所述大徑突部的多個(gè)小徑突部，

所述多個(gè)小徑突部包含從所述大徑突部的外表面突出的第一小徑突部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述多個(gè)小徑突部包含從所述平坦部突出的第二小徑突部。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述大徑突部具有與所述平坦部連接的基端和前端，而且具有從所述基端朝向所述前端變細(xì)的錐體狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述大徑突部具有與所述平坦部連接的基端和前端，而且具有從所述基端朝向所述前端變細(xì)且在所述前端具有平坦面的錐臺(tái)形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述第一小徑突部在所述大徑突部的外表面中位于所述平坦面以外的位置。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述多個(gè)小徑突部具有與所述多個(gè)小徑突部突出的面連接的基端和前端，且具有從所述基端朝向所述前端變細(xì)的錐體狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

所述多個(gè)小徑突部具有與所述多個(gè)小徑突部突出的面連接的基端和前端，并具有從所述基端朝向所述前端變細(xì)且在所述前端具有平坦面的錐臺(tái)形狀。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

通過(guò)所述第一工序和所述第二工序，在所述基板的上表面進(jìn)一步形成從所述平坦部突出的橋接部，所述橋接部將在所述平坦部上相鄰的各個(gè)所述大徑突部連結(jié)。