[發明專利]基于電阻的具有多條源線的存儲器單元

有效

• 申請號: 201480053554.6
• 申請日: 2014-09-18
• 公開（公告）號: CN105580083B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: X·董
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/00
• 分類號: G11C11/00;G11C11/16;G11C11/56;G11C13/00;G11C17/02;G11C17/14;G11C7/10;G11C8/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 唐杰敏

1.一種設備，包括：

存儲器單元，所述存儲器單元包括耦合至多個存取晶體管的基于電阻的存儲元件，其中所述多個存取晶體管至多條源線的耦合配置存儲第一數據值，而所述基于電阻的存儲元件存儲第二數據值，其中所述第一數據值包括只讀存儲器(ROM)數據值，并且其中所述第二數據值包括隨機存取存儲器(RAM)數據值。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述耦合配置包括第一配置，在所述第一配置中所述多個存取晶體管中的第一存取晶體管耦合至所述多條源線中的第一源線并且所述多個存取晶體管中的第二存取晶體管耦合至所述多條源線中的第二源線。

3.如權利要求2所述的設備，其特征在于，所述基于電阻的存儲元件對應于磁性隧道結(MTJ)元件。

4.如權利要求3所述的設備，其特征在于，所述磁性隧道結元件被進一步耦合至所述第一源線或所述第二源線。

5.如權利要求3所述的設備，其特征在于，進一步包括配置成使得能夠在第一操作模式中讀取所述第一數據值并且使得能夠在第二操作模式中讀取所述第二數據值的字線控制器和源線/位線控制器。

6.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一數據值具有第一二進制值或第二二進制值，并且所述第二數據值具有所述第一二進制值或所述第二二進制值。

7.如權利要求2所述的設備，其特征在于，所述設備包括具有第二多個存取晶體管和第二耦合配置的第二存儲器單元，在所述第二耦合配置中所述第二多個存取晶體管中的第一存取晶體管耦合至所述多條源線中的第三源線并且所述第二多個存取晶體管中的第二存取晶體管耦合至所述多條源線中的第四源線，其中所述第二耦合配置存儲第三數據值，而所述第二存儲器單元的第二基于電阻的存儲元件存儲第四數據值。

8.一種設備，包括：

字線控制器；以及

耦合至所述字線控制器的基于電阻的存儲器單元行，其中所述基于電阻的存儲器單元行中的基于電阻的存儲器單元包括耦合至多個存取晶體管的基于電阻的存儲元件，其中所述多個存取晶體管至多條源線的耦合配置存儲第一數據值，而所述基于電阻的存儲元件存儲第二數據值，其中所述第一數據值包括只讀存儲器(ROM)數據值，并且其中所述第二數據值包括隨機存取存儲器(RAM)數據值。

9.如權利要求8所述的設備，其特征在于，進一步包括耦合至所述多條源線中的第一源線且耦合至所述多條源線中的第二源線的基于電阻的存儲器單元列，其中所述基于電阻的存儲器單元行中的所述基于電阻的存儲器單元在所述基于電阻的存儲器單元列中。

10.如權利要求9所述的設備，其特征在于，進一步包括多個基于電阻的存儲器單元行和多個基于電阻的存儲器單元列，所述多個行和多個列被配置成在一種操作模式中作為ROM來操作并且在另一種操作模式中作為RAM來操作。

11.如權利要求10所述的設備，其特征在于，所述多個行和所述多個列被封裝為單個芯片。

12.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述第一數據值對應于第一二進制值或第二二進制值，并且所述第二數據值對應于所述第一二進制值或所述第二二進制值。

13.一種用于從包括耦合至多個存取晶體管的基于電阻的存儲元件的存儲器單元讀取數據的方法，其中所述多個存取晶體管至多條源線的耦合配置存儲第一數據值，而所述基于電阻的存儲元件存儲第二數據值，所述方法包括：

相對于位線偏置第一源線或第二源線，其中所述第一源線、所述第二源線和所述位線耦合至包括基于電阻的存儲元件的存儲器單元；

激活所述存儲器單元的第一存取晶體管；以及

基于所述第一存取晶體管是否使得讀取電流能夠流過所述基于電阻的存儲元件來檢測第一數據值，其中所述第一數據值包括只讀存儲器(ROM)數據值，并且其中所述第二數據值包括隨機存取存儲器(RAM)數據值。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一數據值對應于第一二進制值或第二二進制值，并且所述第二數據值對應于所述第一二進制值或所述第二二進制值。