[發明專利]通過化學氣相滲透制作的陶瓷基質復合物及其制造方法

有效

• 申請號: 201480051694.X
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105531243B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: K.L.盧斯拉;G.S.科曼;B.N.拉馬穆蒂
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C04B35/80
• 分類號: C04B35/80;C04B41/45;C04B35/00;C04B38/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 劉林華,譚祐祥

1.一種制造陶瓷基質復合物的方法，所述方法包括：

提供期望形狀的陶瓷基質復合物預形件，具有限定所述預形件的厚度的第一面和相對的第二面；

在所述預形件中形成部分地和/或完全地延伸穿過預形件的厚度的多個孔；以及

通過化學氣相滲透過程使所述預形件致密化來形成基質的一部分或大部分；

其中，所述孔的局部體積分數在所述預形件的表面區域上從0.1％到30％變化。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔的局部體積分數在所述預形件的表面區域上從2％到10％變化。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預形件具有在20％到80％之間的孔隙度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預形件具有在40％到70％之間的孔隙度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預形件包括具有單向纖維的板層；或具有2D織造架構的板層，具有或沒有貫穿厚度的縫合；或通過織造和/或編織制作的3D纖維架構。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔具有范圍從25微米到250微米的截面尺寸直徑。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔具有范圍從50微米到200微米的截面尺寸直徑。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔的體積分數對于整個預形件是在0.5％到15％之間。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔的體積分數對于整個預形件是在3％到10％之間。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔穿透整個厚度。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔具有選自圓形、正方形、矩形、橢圓形和任何其它二維封閉圖案構成的集合的截面形狀。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述孔的截面尺寸穿過所述預形件變化。

13.根據權利要求1-12任一項所述的方法，其中，所述孔為漸縮的。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述孔通過機械鉆孔、激光鉆孔、放電加工、水射流加工、超聲波研磨加工、和/或通過易消失纖維或桿的使用來形成。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述基質為含硅材料。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述含硅材料選自碳化硅、氮化硅、硅化鉬和它們的混合物構成的集合。

17.根據權利要求15所述的方法，其中，所述陶瓷基質復合物為碳化硅-碳化硅復合物或連續纖維增強復合物。

18.一種根據前述權利要求中的任一項所述的方法形成的陶瓷基質復合物。