[發明專利]在MEMS器件中形成平面的犧牲材料的方法

有效

• 申請號: 201480048429.6
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105555704B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 布萊恩·I·特洛伊;詹姆斯·F·波比亞;邁克·雷諾;約瑟夫·達米安·戈登·拉西;托馬斯·L·麥圭爾
• 申請（專利權）人: 卡文迪什動力有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙)11413
• 代理人: 謝攀,劉繼富

1.一種形成MEMS器件的方法，包括:

在襯底之上沉積犧牲層；

傳導加熱所述襯底和所述犧牲層以使所述犧牲層回流并且使所述犧牲層平面化；

在所述犧牲層之上形成可移動板；

限定包圍所述犧牲層和所述可移動板的空腔；和

從所述空腔移除所述犧牲層。

2.如權利要求1所述的方法，其中通過旋壓法沉積所述犧牲層。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述傳導加熱包括在保持在250攝氏度到450攝氏度的溫度下的熱板上加熱所述襯底。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述傳導加熱在包括非氧化和非還原氣體混合物的氣氛中進行。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述氣體混合物包括氮氣。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述溫度為300攝氏度到450攝氏度。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述傳導加熱通過使用熱板加熱所述襯底而進行。

8.如權利要求7所述的方法，還包括在所述襯底之上形成助粘劑層，然后在所述助粘劑層之上形成所述犧牲層。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述犧牲層含有碳、氫、氮和氧。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述傳導加熱在1托的壓強下進行。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述傳導加熱在1托的壓強下進行。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述可移動板包括底層、頂層和將所述底層耦接到所述頂層的多個柱。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述柱是空心的。

14.如權利要求12所述的方法，其中所述可移動板在其上具有面向所述空腔的頂部的一個或更多個凸部。

15.一種形成MEMS器件的方法，包括：

在襯底之上沉積犧牲層；

傳導加熱所述襯底和所述犧牲層以使所述犧牲層回流并且使所述犧牲層平面化，其中從面向所述襯底的第一表面到與所述第一表面相對的第二表面加熱所述犧牲層，使得所述第一表面先于所述第二表面被暴露于所述傳導加熱，其中所述加熱在250攝氏度到450攝氏度的溫度下進行；

在所述犧牲層之上形成可移動板；

限定包圍所述犧牲層和所述可移動板的空腔；和

從所述空腔移除所述犧牲層。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述傳導加熱在包括非氧化和非還原氣體混合物的氣氛中進行。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述氣體混合物包括氮氣。

18.如權利要求17所述的方法，其中所述溫度為300攝氏度到450攝氏度。

19.如權利要求18所述的方法，其中所述傳導加熱通過使用熱板加熱所述襯底而進行。

20.如權利要求19所述的方法，還包括在所述襯底之上形成助粘劑層，然后在所述助粘劑層之上形成所述犧牲層。

21.如權利要求20所述的方法，其中所述犧牲層含有碳、氫、氮和氧。

22.如權利要求21所述的方法，其中所述傳導加熱在1托的壓強下進行。

23.如權利要求15所述的方法，其中所述傳導加熱在1托的壓強下進行。