[發明專利]n型SiC單晶及其制造方法

有效

• 申請號: 201480047230.1
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN105492667B
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 白井嵩幸
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B19/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 李英

1.n型SiC單晶，其為包含鍺和氮的n型SiC單晶，其中，

所述鍺與所述氮的密度比[Ge/N]滿足0.17＜[Ge/N]＜1.60的關系，

所述氮的密度[N]滿足1.00×10¹⁹個/cm³≤[N]≤1.00×10²⁰個/cm³的關系，

所述鍺的密度[Ge]滿足1.70×10¹⁸個/cm³＜[Ge]＜1.60×10²⁰個/cm³的關系。

2.權利要求1所述的n型SiC單晶，其中，所述鍺與所述氮的密度比[Ge/N]滿足0.24≤[Ge/N]≤0.83的關系。

3.n型SiC單晶的制造方法，其是使SiC晶種基板與具有從內部向表面溫度降低的溫度梯度的Si-C溶液接觸以使n型SiC單晶晶體生長的n型SiC單晶的制造方法，其包括：

在用于形成所述Si-C溶液的原料或所述Si-C溶液中添加氮化物和金屬鍺的工序；和

使包含鍺和氮的n型SiC單晶生長的工序，其中，所述鍺與所述氮的密度比[Ge/N]滿足0.17＜[Ge/N]＜1.60的關系，所述氮的密度[N]滿足1.00×10¹⁹個/cm³≤[N]≤1.00×10²⁰個/cm³的關系，所述鍺的密度[Ge]滿足1.70×10¹⁸個/cm³＜[Ge]＜1.60×10²⁰個/cm³的關系。

4.權利要求3所述的制造方法，其中，所述氮化物為選自氮化鉻、氮化硅、氮化鍺、氮化鈦和氮化鎳中的至少一者。

5.權利要求3或4所述的制造方法，其中，以將包含所述氮和所述鍺的Si-C溶液的總量作為基準的氮原子換算量計，所述氮化物的添加量為0.12原子％以上。

6.權利要求3或4所述的制造方法，其中所述Si-C溶液的表面溫度為1800℃～2200℃。

7.權利要求5所述的制造方法，其中所述Si-C溶液的表面溫度為1800℃～2200℃。