[發明專利]蝕刻方法在審
| 申請號： | 201480046269.1 | 申請日： | 2014-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN105474368A | 公開（公告）日： | 2016-04-06 |
| 發明（設計）人： | 戶花敏勝;山下扶美子 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 | ||
1.一種對被處理體的被蝕刻層進行蝕刻的方法，其包括如下工序：
在設置于所述被蝕刻層上的中間層上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能夠自組裝的嵌段共聚物層的工序；
以由所述嵌段共聚物層形成包含所述第1聚合物的第1區域和包含所述第2聚合物的第2區域的方式對所述被處理體進行處理的工序；
在對所述被處理體進行處理的工序之后，對所述第2區域和該第2區域的正下方的中間層進行蝕刻而形成掩模的工序；
在形成所述掩模的工序之后，在收納有所述被處理體的等離子體處理裝置的處理容器內，生成包含四氯化硅氣體和氧氣的處理氣體的等離子體，在所述掩模上形成保護膜的工序；以及
在形成所述保護膜的工序之后，對所述被蝕刻層進行蝕刻的工序。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，
所述被蝕刻層為含有硅的層，
對所述被蝕刻層進行蝕刻的工序中，在所述處理容器內，生成包含全氟烴氣體和氫氟烴氣體中的至少一種氣體的處理氣體的等離子體。
3.一種對被處理體的被蝕刻層進行蝕刻的方法，其包括如下工序：
在設置于所述被蝕刻層上的中間層上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能夠自組裝的嵌段共聚物層的工序；
以由所述嵌段共聚物層形成包含所述第1聚合物的第1區域和包含所述第2聚合物的第2區域的方式對所述被處理體進行處理的工序；
在對所述被處理體進行處理的工序之后，對所述第2區域和該第2區域的正下方的中間層進行蝕刻而形成掩模的工序；以及
在形成所述掩模的工序之后，對所述被蝕刻層進行蝕刻的工序，
所述被蝕刻層為含有氧化硅或氮化硅的層，
對所述被蝕刻層進行蝕刻的工序中，在等離子體處理裝置的處理容器內，生成包含全氟烴氣體和氫氟烴氣體中的至少一種氣體并且包含溴化氫氣體的氣體的等離子體。
4.根據權利要求1～3中的任一項所述的方法，其中，所述第1聚合物為聚苯乙烯，所述第2聚合物為聚甲基丙烯酸甲酯。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
