[發明專利]光電子半導體芯片、光電子器件和用于制造半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 201480041995.4
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN105409012B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 于爾根·莫斯布格爾;盧茨·赫佩爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;李德山

1.一種光電子器件(100)，所述光電子器件包括殼體本體(3)和光電子半導體芯片(10)，所述光電子半導體芯片具有載體(2)和半導體本體(1)，所述半導體本體具有設置用于產生電磁輻射的有源層(13)，其中

-所述半導體本體(1)設置在所述載體(2)上，

-所述半導體本體(1)具有背離所述載體(2)的第一主面(1A)和朝向所述載體(2)的第二主面(1B)，

-所述半導體芯片(10)具有帶有錨固結構(4)的側面(1C)，

-所述第二主面(1B)設置在第一主面(1A)和所述錨固結構(4)之間，

-所述側面(1C)具有粗糙部，

-所述錨固結構(4)包含多個凹部(41)，其中所述凹部(41)的橫截面和深度分別為所述粗糙部的橫截面或深度的至少三倍大，并且

-所述殼體本體(3)在橫向方向上圍繞所述半導體芯片(10)，使得所述殼體本體(3)具有殼體材料(31)，所述殼體材料接合到所述錨固結構(4)中，并且使得所述半導體芯片(10)的所述第一主面(1A)和背側(1D)沒有所述殼體本體(3)的殼體材料。

2.根據權利要求1所述的光電子器件(100)，

其中所述凹部(41)中的至少一個在所述載體(2)中構成。

3.根據權利要求1所述的光電子器件(100)，

其中所述凹部具有不同的結構尺寸并且與所述第二主面(1B)豎直地隔開。

4.一種光電子半導體芯片(10)，所述光電子半導體芯片具有：載體(2)和半導體本體(1)，所述半導體本體具有設置用于產生電磁輻射的有源層(13)，其中

-所述半導體本體(1)設置在所述載體(2)上，

-所述半導體本體(1)具有背離所述載體(2)的第一主面(1A)和朝向所述載體(2)的第二主面(1B)，

-所述半導體芯片(10)具有帶有錨固結構(4)的側面(1C)，

-所述第二主面(1B)設置在所述第一主面(1A)和所述錨固結構(4)之間，

-所述錨固結構(4)在所述側面(1C)上包括階梯狀的結構(42)，其中所述階梯狀的結構(42)至少局部地通過設置在所述半導體本體(1)和所述載體(2)之間的中間層(6)形成，

-在所述半導體本體(1)和所述中間層(6)之間設置有鏡層(5)，其中所述鏡層(5)在橫向方向上完全地由電絕緣的第一子層(71)包圍，并且在所述載體(2)的俯視圖中，所述半導體本體至少部分地覆蓋電絕緣的所述第一子層并且完全地覆蓋所述鏡層，以及

-所述中間層(6)在邊緣處具有隆起部(61)，使得所述第一子層(71)沿著橫向方向設置在所述中間層(6)的所述隆起部(61)和所述鏡層(5)之間，其中所述第一子層(71)的在橫向方向上的擴展通過所述鏡層(5)和所述中間層(6)的所述隆起部(61)限界。

5.根據權利要求1所述的光電子器件(100)，

其中中間層(6)設置在所述半導體本體(1)和所述載體(2)之間，并且所述錨固結構(4)除了所述凹部(41)之外還具有至少一個階梯狀的結構(42)，所述階梯狀的結構至少局部地通過所述中間層(6)形成。

6.根據權利要求5所述的光電子器件(100)，

其中所述半導體芯片(10)具有絕緣層(7)和第一連接層(8)，所述第一連接層為了電接觸所述半導體芯片(10)從所述側面(1C)延伸至所述第一主面(1A)，并且其中所述絕緣層(7)至少局部地設置在所述側面(1C)和所述第一連接層(8)之間。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的光電子器件(100)，

其中所述半導體芯片(10)構成為薄膜半導體芯片，所述薄膜半導體芯片沒有生長襯底，并且在所述有源層(13)和所述載體(2)之間設置有鏡層(5)。