[發明專利]磁光材料及其制造方法以及磁光器件有效
| 申請號： | 201480040902.6 | 申請日： | 2014-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN105378542B | 公開（公告）日： | 2018-01-16 |
| 發明（設計）人： | 碇真憲 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G02B27/28 | 分類號： | G02B27/28;C01F17/00;C04B35/50 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 材料 及其 制造 方法 以及 器件 | ||
1.磁光材料，其特征在于，包含：由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的燒結體的透明陶瓷、或者由下述式(1)表示的稀土氧硫化物的單晶，波長1064nm處的維爾德常數為0.14min/(Oe·cm)以上，
(TbxR1-x)2O2S (1)，
式中，x為0.3以上且小于1，R為選自釔、镥、釓、鈥、鈧、鐿、銪、鏑中的至少一種稀土元素。
2.權利要求1所述的磁光材料，其特征在于，對于10mm的光程長，使波長1064nm的激光以光束直徑1.6mm入射時，不產生熱透鏡的激光的入射功率的最大值為40W以上。
3.權利要求1或2所述的磁光材料，其中，每光程長10mm的波長1064nm的光的直線透射率為60％以上。
4.權利要求1所述的磁光材料，其中，與由下述式表示的稀土氧化物相比，能入射的激光的入射功率的最大值增加而不產生波段0.9～1.1μm處的熱透鏡，
(TbxR1-x)2O3，
式中，R和x與所述式(1)中的R和x相同。
5.磁光材料的制造方法，其中，
在坩堝內燒成氧化鋱粉末、選自釔、镥、釓、鈥、鈧、鐿、銪、鏑中的至少一種稀土氧化物粉末和硫粉末后，進行粉碎，形成稀土氧硫化物原料粉末，將該稀土氧硫化物原料粉末壓制成形為規定形狀后進行燒結，再進行熱等靜壓處理，得到由下述式(1)表示的稀土氧硫化物燒結體的透明陶瓷，
(TbxR1-x)2O2S (1)，
式中，x為0.3以上且小于1，R為選自釔、镥、釓、鈥、鈧、鐿、銪、鏑中的至少一種稀土元素。
6.磁光器件，其特征在于，使用權利要求1～4任一項所述的磁光材料構成。
7.權利要求6所述的磁光器件，其為光隔離器，該光隔離器具備所述磁光材料作為法拉第轉子，在該法拉第轉子的光學軸上的前后方具備偏光材料，并且可在波段0.9μm以上1.1μm以下利用。
8.權利要求7所述的磁光器件，其特征在于，所述法拉第轉子在其光學面具有防反射膜。
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