[發明專利]片材涂布方法有效
| 申請號: | 201480040452.0 | 申請日: | 2014-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN105392919B | 公開(公告)日: | 2018-01-02 |
| 發明(設計)人: | 安德魯·J·歐德科克;尼古拉斯·T·加布里埃爾;馬克斯·鮑爾斯;比爾·H·道奇;蒂莫西·J·內維特;丹尼爾·J·施密特;詹姆斯·R·米勒;羅伯特·R·齊斯切克;埃林·A·麥克道爾;凱利·S·約翰遜 | 申請(專利權)人: | 3M創新有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 王靜,丁業平 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 片材涂布 方法 | ||
背景技術
薄玻璃膜可通過若干技術中的一種制造。最常見的方法是使用其中熔融玻璃流過兩個表面、交匯成線并且被拉制成片材的熔合拉制塔,或使用其中將玻璃板加熱并且拉制成片材的再拉制工藝。這些工藝中的任一個可產生具有100微米或更小的厚度的薄玻璃。
包括玻璃膜的膜的許多應用可能需要薄膜涂層。這些涂層通常使用基于真空的物理氣相沉積(包括化學氣相沉積、濺射和蒸發涂布)施加。真空工藝可通過間歇工藝(諸如其中片材均包含在真空室中)或空氣-真空-空氣工藝(其中供給和收卷輥在大氣壓下)實現。
雖然常用這些涂布方法,但是它們還是昂貴的。存在卷處理通常在經濟上不可行的若干涂布方法。這些包括化學氣相沉積(CVD)、低壓CVD、以及原子層沉積(ALD)。這些工藝通常用于其中整個板可一次涂布的基于片材的工藝中。
除了上述的基于真空的氣相沉積涂布方法,也可使用被稱為層-層(LBL)自組裝的基于環境、液體的涂布方法在膜和玻璃上提供涂層。LBL涂布是與ALD類似的自限性沉積工藝;然而,它是在環境溫度和壓力下,通常由水性溶液或分散體進行的。傳統上,LBL涂布以間歇模式,使用自動浸漬或噴涂機在相對小區域的基底上進行。通過浸沒涂布以連續的卷-到-卷方式進行的LBL涂布在美國專利申請2004/0157047(Mehrabi等人)中已有所描述,并且通過噴霧涂布進行的LBL涂布在美國專利8,234,998(Krogman等人)中已有所描述。然而,使用這些技術以一遍涂布多個層(例如,50至100層)要求涂布線有大的占有面積。
在本領域中需要一種以低成本和高吞吐量提供高性能涂層的涂布片材的方法。
發明內容
根據本公開的一種涂布片材的方法包括以下步驟:提供多個片材,在片材之間具有間隙;以及迫使流體通過間隙。流體具有大體的活塞流剖面并且流體在自限性沉積工藝中將涂層沉積在多個片材的至少一個表面上。
根據本公開的一種制品包括:板架;設置在板架中的多個帶涂層的板,在帶涂層的板之間具有間隙;以及鄰近多個帶涂層的板的輸入邊緣設置的歧管。歧管包括流體分配系統。
附圖說明
附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分,它們連同具體實施方式闡明本發明的優點和原理。在這些附圖中,
圖1是間歇式流動反應器的剖切透視圖;
圖2是間歇式流動反應器的剖切平面圖;
圖3是ALD反應器的剖切平面圖;
圖4是ALD反應器的剖切透視圖;
圖5是ALD反應器的剖視圖,示出氮氣質量分數等值線;
圖6是ALD反應器的剖視圖,示出壓差等值線;
圖7是反應器的剖切透視圖;
圖8是圖7的反應器的剖視圖,示出壓力等值線;
圖9是圖7的反應器的剖視圖,以擴大標度示出壓力等值線;
圖10是圖7的反應器的一半的平面圖,示出速度等值線;
圖11是圖7的反應器的剖視圖,示出0.19秒的物理進展時間處的氮氣質量分數等值線,其中擴大標度為0至0.1;
圖12是圖7的反應器的一半的平面圖,示出0.87秒的物理進展時間處的氮氣質量分數等值線,其中擴大標度為0至0.2;
圖13是圖7的反應器的剖視圖,示出0.87秒的物理進展時間處的氮氣質量分數等值線,其中標度為0至1;
圖14是示出1/4波反射器設計的圖;
圖15A和15B是示出由圖14的反應器產生的光譜的曲線圖;
圖16是示出使用亞光學層的皺褶反射器的模擬物的圖;
圖17A-17B是示出由圖16的反射器產生的光譜、和邊帶抑制的曲線圖。
圖18是反射器的反射百分比對波長的設計目標的曲線圖;
圖19是具有玻璃板疊層的反應器的圖片;
圖20是圖19的反應器的圖片,其中反應器被拆卸,大部分玻璃板被移除;
圖21是歧管和板疊層的一部分的示意性剖視圖;
圖22A是包括板疊層的容器的透視圖;并且
圖22B是圖22A的容器的一部分的剖視圖。
具體實施方式
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





