[發明專利]超材料裝置及其用途有效
| 申請號: | 201480033310.1 | 申請日: | 2014-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN105493286B | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發明(設計)人: | 熊啟華;曹強;張俊 | 申請(專利權)人: | 南洋理工大學 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H01L51/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 黎艷;劉培培 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 材料 裝置 及其 用途 | ||
本發明涉及包含超材料表面增強拉曼散射(MetaSERS)傳感器的邏輯門,包括:(a)在560nm至2200nm之間的波長范圍工作的開口環形諧振器形式的字母形超材料;和(b)富含鳥嘌呤(G)和胸腺嘧啶(T)的寡核苷酸,所述寡核苷酸能夠在鉀離子(K+)的存在下折疊為G?四聯體結構,并在Hg2+的存在下形成T?Hg2+?T發夾復合體,所述發夾復合體能夠抑制或破壞在K+的存在下形成的所述G?四聯體結構。本發明還涉及操作和使用所述邏輯門的方法。
相關申請交叉引用
本申請引用并要求2013年6月10日向美國專利商標局提交的名稱為“TailoringPlasmonic Metamaterials for High Fidelity Molecular Logic and UltrasensitiveSensing”且系列號為61/833130的申請的優先權。所述2013年6月10日提交的申請的內容,在此以引用方式全文并入本申請并用于一切用途。
技術領域
本發明涉及一種基于超材料SERS傳感器的DNA邏輯門和操作及使用所述邏輯門的方法。
背景技術
DNA邏輯門從由Adleman(Adleman,Science 266,1021-1024(1994))于1994年首次推出開始,就被認為是計算技術的未來,其小尺寸明顯優于傳統的自上而下的半導體技術。由于DNA的獨特性質,例如自組裝、特異識別和外部刺激(例如金屬離子、蛋白)下的構象調制(Elbaz,J.,et al.Nat.Nanotechnol.5,417-422(2010)),DNA邏輯門還在生命科學中具有智能感應和診斷平臺的重要應用。由此發展,已經在不同納米級載體上,例如在石墨和石墨烯氧化物(Wang,L.,et al.ACS Nano 6,6659-6666(2012))、固態nm通道(Jiang,Y.,Liu,N.,Guo,W.,Xia,F.&Jiang,L.J.Am.Chem.Soc.134,15395-15401(2012))、量子點(Freeman,R.,Finder,T.&Willner,I.Angew.Chem.Int.Ed.48,7818-7821(2009))和黃金nm圓盤陣列(Witlicki,E.H.,et al.J.Am.Chem.Soc.133,7288-7291(2011))上,設計出了基于DNA的系統(例如,DNA核酶(Bi,S.,Yan,Y.,Hao,S.&Zhang,S.Angew.Chem.Int.Ed.49,4438-4442(2010))、分子信標(Park,K.S.,Seo,M.W.,Jung,C.,Lee,J.Y.&Park,H.G.Small 8,2203-2212(2012))、富含鳥嘌呤的寡核苷酸(G-四聯體)(Li,T.,Wang,E.&Dong,S.J.Am.Chem.Soc.131,15082(2009)),適體(Liu,X.,Aizen,R.,Freeman,R.,Yehezkeli,O.&Willner,I.ACS Nano 6,3553-3563(2012)),并用于各種邏輯門操作和生物傳感應用程序。所述DNA邏輯操作大多依賴于熒光和酶級聯反應,以產生“開(ON)”或“關(OFF)”輸出信號,其中涉及復雜的處理和分析程序,從而限制了復雜邏輯器件的性能和應用。此外,要實現無標記且可切換的DNA邏輯門為基礎的生物傳感平臺,令其能夠有選擇地響應極低濃度的化學和生物刺激,仍然是非常具有挑戰性的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南洋理工大學,未經南洋理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480033310.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





