[發明專利]具有帶電材料輸送腔室的離子遷移譜裝置在審
| 申請號: | 201480028334.8 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN105209898A | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發明(設計)人: | B·阿塔曼丘卡;V·邦達連科;V·瑟奇耶夫;H·扎列斯基;D·萊文;M·品尼爾斯基;I·庫貝利克;Q·卞;S·費爾德貝格;D·J·格林;B·博索;A·J·帕特爾 | 申請(專利權)人: | 蒙特利爾史密斯安檢儀公司 |
| 主分類號: | G01N27/62 | 分類號: | G01N27/62;H01J49/02;H01J49/04 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 李翔;李雪 |
| 地址: | 加拿大*** | 國省代碼: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 帶電 材料 輸送 離子 遷移 裝置 | ||
1.一種帶電材料的輸送腔室,該輸送腔室包括:
腔室,該腔室由大體上絕緣材料和半導體材料中的至少一者制成,所述腔室具有內表面和外表面;以及
圖案化電阻軌跡,該圖案化電阻軌跡設置在所述腔室的內表面和外表面中的至少一者上,所述圖案化電阻軌跡設置為與電能供應源連接。
2.根據權利要求1所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述圖案化電阻軌跡設置為與所述電能供應源連接,以在通電時在所述腔室內形成電場。
3.根據權利要求1所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述圖案化電阻軌跡設置為與所述電能供應源連接,以在通電時加熱所述腔室。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述圖案化電阻軌跡包括設置在所述腔室的內表面和外表面中的至少一者上的線圈,所述線圈定向為至少大體上垂直于所述腔室的縱向軸線。
5.根據權利要求4所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述線圈包括至少270°的單匝。
6.根據權利要求1所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述圖案化電阻軌跡設置為離子調節部。
7.根據權利要求1-6中任意一項所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述輸送腔室進一步包括連接部,該連接部連接于所述圖案化電阻軌跡并且設置為將所述圖案化電阻軌跡連接至所述電能供應源。
8.根據權利要求1-7中任意一項所述的帶電材料的輸送腔室,其中,所述輸送腔室進一步包括縱向電阻軌跡,該縱向電阻軌跡設置為將所述圖案化電阻軌跡至少連接至第二圖案化電阻軌跡和所述連接部。
9.一種制造帶電材料的輸送腔室的方法,該方法包括:
將圖案化電阻軌跡設置在腔室的內表面和外表面中的至少一者上,所述腔室由大致絕緣材料和半導體材料中的至少一者制成,所述圖案化電阻軌跡設置為連接至電能供應源;以及
將所述圖案化電阻軌跡連接至所述腔室的連接部,所述連接部設置為將所述圖案化電阻軌跡連接至所述電能供應源。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,將所述圖案化電阻軌跡設置為連接至所述電能供應源,以在通電時在所述腔室內形成電場。
11.根據權利要求9所述的方法,其中,將所述圖案化電阻軌跡設置為連接至所述電能供應源,以在通電時加熱所述腔室。
12.根據權利要求9-11中任意一項所述的方法,其中,所述圖案化電阻軌跡包括設置在所述腔室的內表面和外表面中的至少一者上的線圈,所述線圈定向為至少大體上垂直于所述腔室的縱向軸線。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,所述線圈包括至少270°的單匝。
14.根據權利要求9所述的方法,其中,所述圖案化電阻軌跡設置為離子調節部。
15.根據權利要求9-14中任意一項所述的方法,其中,將所述圖案化電阻軌跡連接至所述腔室的連接部包括使用縱向電阻軌跡將所述圖案化電阻軌跡至少連接至第二圖案化電阻軌跡和所述連接部。
16.一種離子檢測組件,該離子檢測組件包括:
帶電材料的輸送腔室,該輸送腔室包括由大致絕緣材料和半導體材料中的至少一者制成的腔室,所述腔室具有內表面和外表面,所述腔室的所述內表面和外表面中的至少一者上設置有圖案化電阻軌跡,該圖案化電阻軌跡設置為連接至電能供應源;
入口組件,該入口組件與所述帶電材料的輸送腔室流體連通,所述入口組件包括用于接收樣品的入口、用于使所述樣品電離的反應區以及用于控制電離的樣品進入所述帶電材料的輸送腔室的門;以及
收集組件,該收集組件與所述帶電材料的輸送腔室流體連通,所述收集組件包括用于在所述電離的樣品穿過所述帶電材料的輸送腔室后收集所述電離的樣品的收集盤。
17.根據權利要求16所述的離子檢測組件,其中,所述圖案化電阻軌跡設置為連接至電能供應源,以在通電時在所述腔室內形成電場。
18.根據權利要求16所述的離子檢測組件,其中,所述圖案化電阻軌跡設置為連接至所述電能供應源,以在通電時加熱所述腔室。
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