[發明專利]光電組件

有效

• 申請號: 201480022832.1
• 申請日: 2014-02-06
• 公開（公告）號: CN105122480B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: S.伊萊克;H-J.盧高爾;J.莫斯布格爾;M.扎巴蒂爾;T.施瓦茨;T.瓦格赫塞
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;劉春元

1.一種用于生產光電組件（10，20，30，40，50）的方法，

具有以下步驟：

-提供具有載體表面（110、2110）的載體（100、2100），

所述載體表面（110、2110）的第一橫向區段相對于所述載體表面（110、2110）的第二橫向區段是抬升的；

-在所述載體表面（110、2110）上布置具有第一表面（210）和第二表面（220）的光電半導體芯片（200），其中，所述第一表面（210）朝向所述載體表面（110、2110）；

-形成具有朝向所述載體表面（110、2110）的上側（310、1310、2310）和與所述上側（310、1310、2310）相對的下側（320、325）的模制主體（300、1300、2300），所述半導體芯片（200）被至少部分地嵌入在所述模制主體（300、1300、2300）中，

其中，執行以下進一步的步驟：

-將所述模制主體（300、1300、2300）與所述載體（100、2100）分離，

其中，所述模制主體（300、1300、2300）的所述下側形成為與所述半導體芯片（200）的所述第二表面（220）齊平。

2.如權利要求1所述的方法，

其中，粘接層（120、125）被布置在所述載體表面（110、2110）的至少一部分上，其中，所述半導體芯片（200）被布置在所述粘接層（120、125）上。

3.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，在形成所述模制主體（300、1300、2300）之后，移除所述模制主體（300、1300、2300）的一部分。

4.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，所述模制主體（300、1300、2300）的所述上側（310、1310、2310）的區段形成為與所述半導體芯片（200）的所述第一表面（210）齊平。

5.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，金屬化（330、2330）被布置在所述模制主體（300、1300、2300）的所述下側上。

6.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，導電元件（250）被布置在所述載體表面（110）上，

其中，所述導電元件（250）被至少部分地嵌入在所述模制主體（300、1300）中。

7.如權利要求6所述的方法，

其中，在所述半導體芯片（200）與所述導電元件（250）之間建立導電連接。

8.如權利要求7所述的方法，

其中，在所述半導體芯片（200）與所述導電元件（250）之間建立鍵合連接。

9.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，所述半導體芯片（200）被布置在所述載體表面（110、2110）的所述第一橫向區段中。

10.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，所述載體表面（110、2110）的所述第二橫向區段環狀地包圍所述第一橫向區段。

11.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，抬升的橫向區段和下陷的橫向區段形成在所述模制主體（300）的所述上側（310）上，

其中，光學透鏡（350）在進一步的步驟中被布置在所述模制主體（300）的所述下陷的橫向區段之上。

12.如前述權利要求1至2之一所述的方法，

其中，由光學上白色的材料來形成所述模制主體（300、1300、2300）。