[發(fā)明專利]制造堆棧裸片封裝的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480021718.7
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN105474384B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 凱爾·特里爾;郭芳村;毛森
• 申請（專利權(quán)）人: 維西埃-硅化物公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;謝栒

在一個實施例中，方法可以包括，將第一裸片的柵極和源極耦合至引線框架。第一裸片可以包括位于第一裸片的第一表面的柵極和源極以及位于與該第一表面相對的第一裸片的第二表面的漏極。此外，方法可以包括，將第二裸片的源極耦合至第一裸片的漏極。第二裸片可以包括位于第二裸片的第一表面的柵極和漏極以及位于與該第一表面相對的第二裸片的第二表面的源極。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請涉及并且要求Kyle Terrill等人的代理卷號為VISH-8810，名稱為“StackDie Package”的13/829,623號美國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其于2013年3月14日同時提交”。

本申請涉及并且要求序列號為13/830,041、于2013年3月14日提交的、名稱為“Method for Fabricating Stack Die Package”的美國申請的優(yōu)先權(quán)，其通過整體引用并入本文中。

背景技術(shù)

在DC-DC電源中，控制和同步MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件在單個封裝內(nèi)的一起封裝具有較好的面積效率并且是目前工業(yè)內(nèi)的趨勢。圖1、2和3說明了市場中可行的這些類型的裸片封裝的不同例子。特別地，圖1是包括兩個裸片連同引線鍵合的常規(guī)PPAIR封裝100的等距視圖。引線鍵合由放大圖102說明。此外，圖2示出了包括兩個裸片連同條帶(clip)鍵合的常規(guī)PPAIR封裝200的俯視圖和仰視圖。條帶鍵合由放大圖202說明。而且，圖3是包括兩個堆棧裸片連同條帶的常規(guī)堆棧裸片封裝300的等距視圖。與這些常規(guī)芯片封裝相關(guān)的劣勢已經(jīng)指出。

例如，對于PPAIR封裝(如100或200)，LS(低層)裸片和HS(高層)裸片在相同表面上處于彼此附近。這樣，對于給定的固定封裝尺寸，PPAIR封裝中裸片的尺寸會受到限制，并且因此漏源電阻(Rds)和電流處理能力會受到影響。指出了，對于堆棧裸片封裝(如300)，裸片尺寸可以更大。然而，由于條帶的焊接過程，會污染裸片和鉛柱上的焊線盤表面。因此，對封裝成品率和堆棧裸片封裝的鍵合引線的可靠性有顧慮。而且，堆棧裸片的引線鍵合過程可以要求在引線框架上鍍銀，這不利地增加了引線框架的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的多個實施例設(shè)法解決了上面描述的關(guān)于典型的常規(guī)裸片封裝的缺陷。

在一個實施例中，方法可以包括，將第一裸片的柵極和源極耦合至引線框架。第一裸片可以包括位于第一裸片的第一表面的柵極和源極以及位于與該第一表面相對的第一裸片的第二表面的漏極。此外，方法可以包括，將第二裸片的源極耦合至第一裸片的漏極。第二裸片可以包括位于第二裸片的第一表面的柵極和漏極以及位于與該第一表面相對的第二裸片的第二表面的源極。

在另一個實施例中，方法可以包括，將第一裸片的柵極和源極耦合至引線框架。第一裸片可以包括位于第一裸片的第一表面的柵極和源極以及位于與該第一表面相對的第一裸片的第二表面的漏極。而且，方法可以包括，將第二裸片的源極耦合至第一裸片的漏極。第二裸片可以包括位于第二裸片的第一表面的柵極和源極以及位于與該第一表面相對的第二裸片的第二表面的漏極。

在又一個實施例中，方法可以包括，將第一裸片的柵極和源極耦合至引線框架。第一裸片可以包括位于第一裸片的第一表面的柵極和源極以及位于與該第一表面相對的第一裸片的第二表面的漏極。此外，方法可以包括，將第二裸片的源極耦合至第一裸片的漏極。第二裸片可以包括位于第二裸片的第一表面的柵極和漏極以及位于與該第一表面相對的第二裸片的第二表面的源極。另外，該方法可以包括，在近似相同的時間將第一條帶和第二條帶耦合至第二裸片。

雖然根據(jù)本發(fā)明的特定實施例已經(jīng)在本發(fā)明內(nèi)容中進行了特別描述，應注意，本發(fā)明以及要求保護的客體不受到這些實施例的任何方式的限制。

附圖說明

在附圖中以例子且非限制性方式示出根據(jù)本發(fā)明的各個實施例。應注意，整個圖中相同的附圖標記表示同樣的元件。